ZHCSER4A October   2015  – June 2025 CSD19532KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热性能信息
    3. 4.3 典型 MOSFET 特性
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 第三方产品免责声明
    2. 5.2 文档支持
      1. 5.2.1 相关文档
    3. 5.3 接收文档更新通知
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
    6. 5.6 静电放电警告
    7. 5.7 术语表
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

(TA = 25°C 时测得,除非另有说明)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
静态特性
BVDSS漏源电压VGS = 0V,ID = 250μA100V
IDSS漏源漏电流VGS = 0V,VDS = 80V1μA
IGSS栅源漏电流VDS = 0V,VGS = 20V100nA
VGS(th)栅源阈值电压VDS = VGS,ID = 250μA2.22.63.2V
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 6V,ID = 90A5.36.6
VGS = 10V,ID = 90A4.65.6
gfs跨导VDS = 10V,ID = 90A113S
动态特性
Ciss输入电容VGS = 0V,VDS = 50V,ƒ = 1MHz38905060pF
Coss输出电容674876pF
Crss反向传输电容1418pF
RG串联栅极电阻1.32.6
Qg栅极电荷总量 (10V)VDS = 50V,ID = 90A4457nC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)5.6nC
Qgs栅极电荷(栅源极)17nC
Qg(th)Vth 下的栅极电荷9.6nC
Qoss输出电荷VDS = 50V,VGS = 0V124nC
td(on)导通延时时间VDS = 50V,VGS = 10V,
IDS = 90A,RG = 0Ω
9ns
tr上升时间3ns
td(off)关闭延时时间14ns
tf下降时间2ns
二极管特性
VSD二极管正向电压ISD = 90A,VGS = 0V0.91.0V
Qrr反向恢复电荷VDS= 50V,IF = 90A,
di/dt = 300A/μs
326nC
trr反向恢复时间74ns