ZHCSCP6A January   2014  – August 2014 CSD19501KCS

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械数据
    1. 7.1 KCS 封装尺寸

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

2 应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

3 说明

这款 80V，5.5mΩ，TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

FET_Pins.gif
TO220p2.png

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 80 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 38 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 5.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 6.2 mΩ
VGS = 10V 5.5 mΩ
VGS(th) 阀值电压 2.6 V

订购信息(1)

器件 封装 介质 数量 出货
CSD19501KCS TO-220 塑料封装 管 50 管
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 80 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 129
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C 时测得 91
IDM 脉冲漏极电流 (1) 305 A
PD 功率耗散 217 W
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 175 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 65A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 211 mJ
  1. 最大 RθJC = 0.7，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

graph07_SLPS478.png

栅极电荷

graph04_SLPS478.png