4 修订历史记录

Changes from B Revision (January 2015) to C Revision

• 在特性 下添加了“采用软体二极管以降低振铃效应”Go
• 在应用 中添加了“适用于工业降压转换器的低侧 FET”Go
• 更新了部件 说明的措辞 Go
• Added 添加了社区资源 部分Go

Changes from A Revision (January 2014) to B Revision

• 已将受芯片限制的持续漏极电流增加至 93A Go
• 已将脉冲漏极电流增加至 251 Go
• Added 外壳温度保持在 25°C 时的最大功耗一行Go
• 已更新脉冲电流条件 Go
• Changed Figure 1 to normalized R_θJC curve Go
• Updated SOA in Figure 10Go

Changes from * Revision (July 2013) to A Revision

• 在 “说明”中添加了更多信息Go
• 添加了小卷带订单号Go
• 已从绝对最大额定值表内的持续漏极电流（受封装限制）中删除 T_C = 25°C 条件Go
• Changed Typ R_θJA = 99°C/W to: R_θJA = 100°C/W in Figure 1Go
• 添加了建议模版开孔 部分Go