ZHCSFX7B November   2016  – November 2022 CSD18510KTT

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 支持资源
    3. 6.3 Trademarks
    4. 6.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 6.5 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 KTT Package Dimensions
    2. 7.2 Recommended PCB Pattern
    3. 7.3 Recommended Stencil Opening (0.125 mm Stencil Thickness)

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KTT|2
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 Revision History

Changes from Revision A (January 2017) to Revision B (November 2022)

Changes from Revision * (November 2016) to Revision A (January 2017)

  • 在绝对最大额定值 表中将 TC = 25°C 时的芯片电流限制从 237A 更改为 274AGo
  • 在绝对最大额定值 表中将 TC = 100°C 时的芯片电流限制从 167A 更改为 193AGo
  • 在绝对最大额定值 表中将最大功耗从 188W 更改为 250WGo
  • Changed the charge values in the Dynamic Characteristics section of the Electrical Characteristics tableGo
  • Changed max RθJC from 0.8°C/W : to 0.6°C/W in the Thermal Information tableGo
  • Changed Figure 5-4 in the Typical MOSFET Characteristics section to reflect updated gate chargesGo