ZHCS977F June 2012 – January 2025 CSD18504Q5A
PRODUCTION DATA
3 说明
这款 5.3mΩ、SON 5mm × 6mm、40V NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 7.7 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 2.4 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 7.5 | mΩ |
| VGS = 10V | 5.3 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.9 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18504Q5A | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm × 6mm 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD18504Q5AT | 250 | 7 英寸卷带 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 50 | A |
| 持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 | 75 | ||
| 持续漏极电流(1) | 15 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 275 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 77 | ||
| TJ、 Tstg | 工作结温和 贮存温度范围 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 43A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 92 | mJ |
(1) RθJA = 40°C/W，这是在 1 平方英寸的情况下，2 盎司铜焊盘安装在
0.06 英寸厚的 FR4 PCB 上时测得的典型值。
0.06 英寸厚的 FR4 PCB 上时测得的典型值。
(2) 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比
≤ 1%
≤ 1%
 RDS(on) 与 VGS 之间的关系 |
 栅极电荷 |