ZHCS966C June   2012  – January 2015 CSD18501Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Changes from B Revision (October 2012) to C Revision

  • 已添加器件编号至标题Go
  • 在订购信息表中添加了 7 英寸卷带Go
  • 已将受芯片限制的持续漏极电流增加至 161A Go
  • 已将脉冲漏极电流增加至 400A Go
  • 已添加外壳温度保持在 25°C 时的最大功耗一行Go
  • 已更新脉冲电流条件 Go
  • Updated Figure 1 to a normalized RθJC curve Go
  • Updated the SOA in Figure 9Go
  • 已添加建议模板开口Go

Changes from A Revision (June 2012) to B Revision

  • Changed the Transconductance TYP value From: 142 S To: 118 S.Go
  • Changed the Turn On and Turn Off Delay Time, Rise and Fall Time Test Conditions From: IDS = 25 A, RG = 2 Ω To: IDS = 25 A, RG = 0 ΩGo
  • Changed the Qrr Reverse Recovery Charge TYP value From: 21 nC To: 70 nCGo

Changes from * Revision (June 2012) to A Revision

  • 已添加“TA = 25°C”至产品概要表Go