ZHCSFM2C October 2016 – June 2022 CSD17585F5
PRODUCTION DATA
3 说明
该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
图 3-1 典型器件尺寸产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 1.9 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.39 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 26 | mΩ |
| VGS = 10V | 22 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.3 | V | |
器件信息
| 器件(1) | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17585F5 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto 1.53mm × 0.77mm 无引线 SMD | 卷带包装 |
| CSD17585F5T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | +20 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | 3.6 | A |
| 持续漏极电流(2) | 5.9 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(1)(3) | 34 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 0.5 | W |
| 功率耗散(2) | 1.4 | ||
| V(ESD) | 人体放电模型 (HBM) | 4 | kV |
| 充电器件模型 (CDM) | 2 | ||
| TJ、 Tstg | 工作结温、 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
(1) RθJA = 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。
(2) 覆铜面积最大时的典型 RθJA = 90°C/W。
(3) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
图 3-2 顶视图