ZHCSCT2A September   2014  – January 2016 CSD17578Q3A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3A 封装尺寸
    2. 7.2 Q3A 建议的 PCB 布局
    3. 7.3 Q3A 建议的模板布局
    4. 7.4 Q3A 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNH|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

2 应用

  • 用于网络互联、电信和计算系统的负载点 同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了 优化

3 说明

这款 30V，6.3mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

顶视图
CSD17578Q3A P0093-01_LPS198.gif

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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 7.9 nC
Qgd 栅极电荷 栅极到漏极 1.7 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 8.2 mΩ
VGS = 10V 6.3 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.5 V

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订购信息(1)

器件 包装介质 数量 封装 发货
CSD17578Q3A 13 英寸卷带 2500 SON 3.3mm x 3.3mm
塑料封装		 卷带封装
CSD17578Q3AT 7 英寸卷带 250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 20 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 54
持续漏极电流(1) 14
IDM 脉冲漏极电流(2) 142 A
PD 功率耗散(1) 2.5 W
功率耗散，TC = 25°C 37
TJ，
Tstg 		工作结温，
储存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 22A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 24 mJ
  1. RθJA = 50°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的 FR4 PCB 上将其安装在 1 平方英寸 2 盎司厚的
    铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 4.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD17578Q3A D007_SLPS525.gif

栅极电荷

CSD17578Q3A D004_SLPS525_frontpage.gif