ZHCSTH5B October 2009 – October 2023 CSD16408Q5
PRODUCTION DATA
3 说明
NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
顶视图产品概要
| VDS | 漏源极电压 | 25 | V | ||
| Qg | 栅极电荷，总数(4.5V) | 6.7 | nC | ||
| Qgd | 栅极电荷（栅漏极） | 1.9 | nC | ||
| rDS(接通) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 5.4 | mΩ | |
| VGS = 10V | 3.6 | mΩ | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.8 | V | ||
订购信息
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16408Q5 | SON 5mm × 6mm 塑料封装 | 13英寸(33cm)卷带 | 2500 | 卷带 |
绝对最大额定值
| TA = 25°C 时测得，除非另外注明 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 25 | V |
| VGS | 栅源电压 | –12 至 16 | V |
| ID | 持续漏极电流，TC = 25°C | 113 | A |
| 持续漏极电流(1) | 22 | A | |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) | 141 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| TJ，TSTG | 运行结温和储存温度范围 | –55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 23A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 126 | mJ |
(1) 典型 RθJA = 41°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
RDS(on) 与 VGS 间的关系
栅极电荷