ZHCSZ21A October   2025  – December 2025 BQ25690

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件上电复位
      2. 6.3.2  仅电池上电状态
      3. 6.3.3  器件高阻态状态
      4. 6.3.4  为 REGN LDO 上电
      5. 6.3.5  默认 VINDPM 设置
      6. 6.3.6  具有 CELL、ICHG 和 VCHG 引脚的默认充电曲线设置
      7. 6.3.7  降压/升压转换器运行
        1. 6.3.7.1 脉冲频率调制 (PFM)
        2. 6.3.7.2 开关频率和抖动功能
      8. 6.3.8  正向（灌电流）运行
        1. 6.3.8.1 电源路径管理
          1. 6.3.8.1.1 窄 VDC 架构
          2. 6.3.8.1.2 动态电源管理
            1. 6.3.8.1.2.1 ILIM_HIZ 引脚
            2. 6.3.8.1.2.2 输入电流优化器 (ICO)
        2. 6.3.8.2 电池充电管理
          1. 6.3.8.2.1 电池检测
          2. 6.3.8.2.2 自主充电周期
          3. 6.3.8.2.3 电池充电曲线
          4. 6.3.8.2.4 充电终止
          5. 6.3.8.2.5 充电安全计时器
          6. 6.3.8.2.6 CV 计时器
          7. 6.3.8.2.7 热敏电阻认证
            1. 6.3.8.2.7.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
            2. 6.3.8.2.7.2 反向模式下的冷/热温度窗口
        3. 6.3.8.3 旁路模式
      9. 6.3.9  反向（拉电流）模式 (USB On-The-Go)
        1. 6.3.9.1 反向（拉电流）模式运行
        2. 6.3.9.2 备用电源模式
        3. 6.3.9.3 反向旁路模式
      10. 6.3.10 状态输出（、STAT 和 INT）
        1. 6.3.10.1 电源正常状态指示器 (PG_STAT)
        2. 6.3.10.2 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        3. 6.3.10.3 主机中断 (INT)
      11. 6.3.11 串行接口
        1. 6.3.11.1 数据有效性
        2. 6.3.11.2 启动条件和停止条件
        3. 6.3.11.3 字节格式
        4. 6.3.11.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 6.3.11.5 目标地址和数据方向位
        6. 6.3.11.6 单独写入和读取
        7. 6.3.11.7 多个写入和多个读取
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 主机模式和默认模式
      2. 6.4.2 复位寄存器位
    5. 6.5 寄存器映射
      1. 6.5.1 BQ25690 寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用设计示例
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电感器选型
        2. 7.2.2.2 电容器
        3. 7.2.2.3 降压模式输入 (VIN) 电容器
        4. 7.2.2.4 升压模式输出 (VOUT) 电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装选项附录
    2. 10.2 卷带包装信息
    3. 10.3 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RBA|26
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.2.2.2 电容器

X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容器是去耦电容器的首选，必须尽可能靠近转换器的 VIN、SYS 或 SRN 和 GND 引脚布置。考虑到陶瓷电容器因温度和施加电压产生的降额效应，所选陶瓷电容器的额定电压必须高于正常输入电压。例如，输入电压最高 24V 时，首选额定电压为 35V 或更高的电容器。如果非陶瓷电容器的 ESR 小于 50mΩ，则可以使用。当 CVIN_ACN < 4×CVIN_ACP 时，降额后 CVIN_ACP + CVIN_ACP 必须至少为 10µF。对于 1 节 - 2 节串联电池应用，CSYS 必须至少为 15µF。对于 3 节 - 7 节串联电池应用，降额后 CSYS 必须至少为 8µF。CBAT 是靠近 SRN 和 GND 引脚并与电池包并联的大容量电容，降额后必须至少为 5µF。以下各节介绍了如何根据所需的稳态电压纹波调整降额电容值的大小。对于降压转换器的输入和升压转换器的输出，电压纹波最高。在负载瞬态阶跃启动和释放时，可能需要额外的电容以分别缓解降压、升压或降压/升压转换器输出的电压骤降和过冲。