- IC 封装背面裸露的电源板应焊接至 PCB 接地面,这一点非常重要。确保 IC 正下方有足够的热过孔,且连接到其他层上的接地平面。
- 控制级与功率级需分开布线。每一层中,信号地和功率地仅在功率焊盘位置连通。
- 交流电流检测电阻必须通过开尔文触点连接到 ACP(引脚 3)和 ACN(引脚 2)。此环路的面积必须尽可能缩小。如果该环路偏大,则需要为 ACN 增加一颗 0.1μF 去耦电容器。这些引脚的去耦电容器应尽可能靠近 IC 放置。
- 充电电流检测电阻必须通过开尔文触点连接到 SRP(引脚 19)和 SRN(引脚 18)。此环路的面积必须尽可能缩小。如果该环路偏大,则需要为 SRN 增加一颗 0.1μF 去耦电容器。这些引脚的去耦电容器应尽可能靠近 IC 放置。
- PVCC(引脚 28)、VREF(引脚 10)和 REGN(引脚 24)的去耦电容器应放置于 IC 下方底层,与 IC 之间的互连走线应尽可能短。
- BAT(引脚 17)和 IADAPT(引脚 15)的去耦电容器必须靠近对应 IC 引脚放置,与 IC 之间的互连走线应尽可能短。
- 充电器输入侧的去耦电容器 CX 必须放置在距离 Q4 漏极和 Q5 源极非常近的位置。
图 7-5 展示了建议的元件放置方式以及布线和过孔位置。
如需 QFN 相关信息,请参考以下链接:SCBA017 和 SLUA271