ZHCSXO8 December   2024 AWRL6844

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
    1. 5.1 相关产品
  7. 6 终端配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 信号说明
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  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  上电小时数 (POH)
    4. 7.4  建议运行条件
    5. 7.5  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 7.5.1 OTP 电子保险丝编程的建议运行条件
      2. 7.5.2 硬件要求
      3. 7.5.3 对硬件保修的影响
    6. 7.6  电源规格
      1. 7.6.1 3.3V I/O 拓扑
      2. 7.6.2 1.8V I/O 拓扑
      3. 7.6.3 系统拓扑
        1. 7.6.3.1 I/O 拓扑
      4. 7.6.4 射频电源去耦电容器和布局条件
        1. 7.6.4.1 1.2V 射频电源轨
          1. 7.6.4.1.1 1.2V 射频电源轨
        2. 7.6.4.2 1.0V 射频 LDO
          1. 7.6.4.2.1 1.0V 射频 LDO
      5. 7.6.5 噪声和纹波规格
    7. 7.7  节电模式
      1. 7.7.1 功耗典型数值
    8. 7.8  每个电压轨的峰值电流要求
    9. 7.9  射频规格
    10. 7.10 支持的 DFE 特性
    11. 7.11 CPU 规范
    12. 7.12 热阻特性
    13. 7.13 时序和开关特性
      1. 7.13.1  电源时序和复位时序
      2. 7.13.2  同步帧触发
      3. 7.13.3  输入时钟和振荡器
        1. 7.13.3.1 时钟规格
      4. 7.13.4  多通道缓冲/标准串行外设接口 (McSPI)
        1. 7.13.4.1 McSPI 特性
        2. 7.13.4.2 SPI 时序条件
        3. 7.13.4.3 SPI - 控制器模式
          1. 7.13.4.3.1 SPI 的时序和开关要求 - 控制器模式
          2. 7.13.4.3.2 SPI 输出时序的时序和开关特性 - 控制器模式
        4. 7.13.4.4 SPI - 外设模式
          1. 7.13.4.4.1 SPI 的时序和开关要求 — 外设模式
          2. 7.13.4.4.2 SPI 输出时序的时序和开关特性 - 次级模式
      5. 7.13.5  LVDS 仪表和测量外设
        1. 7.13.5.1 LVDS 接口配置
        2. 7.13.5.2 LVDS 接口时序
      6. 7.13.6  LIN
      7. 7.13.7  通用输入/输出
        1. 7.13.7.1 输出时序的开关特性与负载电容 (CL) 间的关系
      8. 7.13.8  控制器局域网 - 灵活数据速率 (CAN-FD)
        1. 7.13.8.1 CANx TX 和 RX 引脚的动态特性
      9. 7.13.9  串行通信接口 (SCI)
        1. 7.13.9.1 SCI 时序要求
      10. 7.13.10 内部集成电路接口 (I2C)
        1. 7.13.10.1 I2C 时序要求
      11. 7.13.11 四线串行外设接口 (QSPI)
        1. 7.13.11.1 QSPI 时序条件
        2. 7.13.11.2 QSPI 输入（读取）时序的时序要求
        3. 7.13.11.3 QSPI 开关特性
      12. 7.13.12 JTAG 接口
        1. 7.13.12.1 JTAG 时序条件
        2. 7.13.12.2 IEEE 1149.1 JTAG 的时序要求
        3. 7.13.12.3 IEEE 1149.1 JTAG 在推荐工作条件下的开关特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 子系统
      1. 8.3.1  射频 (RF) 和模拟子系统
      2. 8.3.2  时钟子系统
      3. 8.3.3  发送子系统
      4. 8.3.4  接收子系统
      5. 8.3.5  处理器子系统
      6. 8.3.6  汽车接口
      7. 8.3.7  主机接口
      8. 8.3.8  应用子系统 Cortex-R5F
      9. 8.3.9  DSP 子系统
      10. 8.3.10 硬件加速器 (HWA1.2) 特性
        1. 8.3.10.1 xWRx843 中的 HWA1.1、xWRLx432 中的 HWA1.2 和 xWRL684x 中的 HWA1.2 之间的硬件加速器功能差异
    4. 8.4 其他子系统
      1. 8.4.1 安全性 – 硬件安全模块
      2. 8.4.2 用于用户应用的 GPADC 通道（服务）
      3. 8.4.3 GPADC 参数
    5. 8.5 存储器分区示例
    6. 8.6 引导模式
  10. 9 监控和诊断
  11. 10应用、实施和布局
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 参考原理图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件命名规则
    2. 11.2 工具与软件
    3. 11.3 文档支持
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ANC|207
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.6.4 射频电源去耦电容器和布局条件

该小节介绍了去耦电容器的建议值以及射频电源（1.2V RF 和 1V RF LDO）特部分中允许的寄生电感和电阻范围。建议使用随温度变化较小的 X7R 型电容器。下表列出了电容器的最小值和最大值。表包括给定电容器因直流偏置、容差和温度变化而导致的变化。

注：
  1. 如果寄生值未保持在指定范围内，器件的性能可能会降低。
  2. 建议使用去耦电容器的典型值。任何在范围边缘附近取值的电容值都可能会降低性能。所选电容器的工作范围不能超过指定范围。