UCC21710QDWEVM-025

适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板

概述

UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150mm x 62mm x 17mm 和 106mm x 62mm x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

特性

10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
两个 5.7kVrms 增强型隔离式通道，可支持高达 1700V 的输入轨
带软关断的短路保护和带内部 FET 的米勒钳位
CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案

不包含电源模块

隔离式栅极驱动器

UCC21710 — 适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

UCC21710-Q1 — 适用于 IGBT/SiC 且具有过流保护的汽车级 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器

UCC21717-Q1 — 适用于 SiC/IGBT 且具有主动保护功能的汽车级 10A 拉电流/灌电流单通道隔离式栅极驱动器

变压器驱动器

SN6505B — 适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

监控器和复位 IC

TPS3700-Q1 — 用于过压和欠压监测的汽车类高电压 (18V) 窗口电压检测器

线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS709 — 具有反向电流保护和使能功能的 150mA、30V、超低 IQ、低压降稳压器

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隔离式栅极驱动器

UCC21710 — 适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

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UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板

UCC21750QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板

发布信息

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	类型	标题		下载最新的英文版本		日期
*	用户指南	UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B)				2019年 9月 9日
	证书	UCC21710QDWEVM-025 EU Declaration of Conformity (DoC)				2024年 1月 24日

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