适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板 UCC21710QDWEVM-025 (正在供货)

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UCC21710QDWEVM-025 is a prototype evaluation module and is available in limited quantities.

UCC21710-Q1 full data sheet, EVM user's guide, and PSpice model are available. Request now

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描述

UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

特性
  • 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
  • 两个 5.7kVrms 增强型隔离式通道,可支持高达 1700V 的输入轨
  • 带软关断的短路保护和带内部 FET 的米勒钳位
  • CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案

包含项目

  • Power modules not included

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UCC21710QDWEVM-025:
Driving and protection evaluation board for SiC and IGBT transistors and power modules

$99.00(USD)


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应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件

技术文档
用户指南 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 7231 2019年 4月 30日
相关产品

TI 器件 (5)

器件型号 名称 产品系列
SN6505B  SN6505x 用于隔离电源的低噪声 1A 变压器驱动器  隔离 
SN74AHC1G08-Q1  汽车类单路 2 输入正与门  门 
TPS3700-Q1  具有过压和欠压检测功能的汽车类、高压 (18V) 窗口比较器  电源管理 
TPS709  具有使能端的 150-mA 超低 Iq LDO  电源管理 
UCC21710-Q1  具有高级保护功能的 ±10A SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器  门驱动器 

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