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TPL7407L

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40V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器

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产品详情

Drivers per package 7 Switching voltage (max) (V) 40 Output voltage (max) (V) 40 Peak output current (A) 0.5 Delay time (typ) (ns) 250 Input compatibility CMOS, TTL Vol at lowest spec current (typ) (mV) 200 Iout/ch (max) (mA) 600 Iout_off (typ) (µA) 0.01 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 FET Internal Imax (A) 0.6 Device type Low-side switches Function Inductive load compatibility
Drivers per package 7 Switching voltage (max) (V) 40 Output voltage (max) (V) 40 Peak output current (A) 0.5 Delay time (typ) (ns) 250 Input compatibility CMOS, TTL Vol at lowest spec current (typ) (mV) 200 Iout/ch (max) (mA) 600 Iout_off (typ) (µA) 0.01 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 FET Internal Imax (A) 0.6 Device type Low-side switches Function Inductive load compatibility
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • 600mA 额定漏极电流（每通道）
  • 7 通道达灵顿 (Darlington) 阵列（例如 ULN2003A）的 CMOS 引脚到引脚改进
  • 功耗（极低 VOL）
    • 电流为 100mA 时，VOL 低于达灵顿 (Darlington) 阵列的四分之一
  • 每通道小于 10nA 的极低输出泄露
  • 扩展环境温度范围：
    TA = -40°C 至 125°C
  • 高压输出 40V
  • 与 1.8V 至 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
  • 用于感应反冲保护的内部自振荡二极管
  • 输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
  • 用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC) 缓冲器
  • 电感负载驱动器应用
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2kV 人体模型 (HBM)，500V 充电器件模型 (CDM)
  • 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装

应用范围

  • 电感负载
    • 继电器
    • 单极步进 & 有刷直流电机
    • 螺线管 & 阀门
  • 发光二极管 (LED)
  • 逻辑电平位移
  • 栅极 & 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 驱动
  • 600mA 额定漏极电流（每通道）
  • 7 通道达灵顿 (Darlington) 阵列（例如 ULN2003A）的 CMOS 引脚到引脚改进
  • 功耗（极低 VOL）
    • 电流为 100mA 时，VOL 低于达灵顿 (Darlington) 阵列的四分之一
  • 每通道小于 10nA 的极低输出泄露
  • 扩展环境温度范围：
    TA = -40°C 至 125°C
  • 高压输出 40V
  • 与 1.8V 至 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
  • 用于感应反冲保护的内部自振荡二极管
  • 输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
  • 用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC) 缓冲器
  • 电感负载驱动器应用
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2kV 人体模型 (HBM)，500V 充电器件模型 (CDM)
  • 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装

应用范围

  • 电感负载
    • 继电器
    • 单极步进 & 有刷直流电机
    • 螺线管 & 阀门
  • 发光二极管 (LED)
  • 逻辑电平位移
  • 栅极 & 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 驱动

TPL7407L 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。 这个器件包含 7 个特有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。 一个单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。 增加的全新稳压和驱动电路在整个通用输入输出 (GPIO) 范围内 (1.8V-5.0V) 提供最大驱动强度。可将这些晶体管并联以实现更高的电流能力。

TPL7407L 的主要优势是其经提升的效率以及低于双极达灵顿 (Darlington) 器件的泄露值。 借助于较低的 VOL，功率耗散比传统中继驱动器少一半，每通道的电流少于 250mA。

TPL7407L 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。 这个器件包含 7 个特有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。 一个单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。 增加的全新稳压和驱动电路在整个通用输入输出 (GPIO) 范围内 (1.8V-5.0V) 提供最大驱动强度。可将这些晶体管并联以实现更高的电流能力。

TPL7407L 的主要优势是其经提升的效率以及低于双极达灵顿 (Darlington) 器件的泄露值。 借助于较低的 VOL，功率耗散比传统中继驱动器少一半，每通道的电流少于 250mA。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPL7407L 40V 7 通道低侧驱动器 数据表 (Rev. A) 最新英语版本 (Rev.D) PDF | HTML 2014年 1月 30日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 封装厂地点

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