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TPS28225-Q1

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具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 27 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.35 Switch node voltage (V) 0 Features Synchronous Rectification Driver configuration Single
Bootstrap supply voltage (max) (V) 27 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 8 Peak output current (A) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.014 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.35 Switch node voltage (V) 0 Features Synchronous Rectification Driver configuration Single
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3
  • 符合汽车应用要求
  • 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
  • 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
  • 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
  • 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
  • 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
  • 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的 FSW
  • 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
  • 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
  • 用于功率级关断的三态 PWM 输入
  • 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
  • 热关断
  • UVLO 保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
  • 常见三态输入驱动器的高性能替代产品
  • 符合汽车应用要求
  • 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
  • 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
  • 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
  • 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
  • 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
  • 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的 FSW
  • 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
  • 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
  • 用于功率级关断的三态 PWM 输入
  • 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
  • 热关断
  • UVLO 保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
  • 常见三态输入驱动器的高性能替代产品

TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。

TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。

TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。

TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。
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* 数据表 TPS28225-Q1 汽车类高频 4A 灌电流同步 MOSFET 驱动器 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2022年 2月 22日
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设计和开发

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仿真模型

TPS28225 PSpice Transient Model

SLUM287.ZIP (36 KB) - PSpice Model
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