产品详情

Type Ratiometric bipolar Sensitivity (typ) (mV/mT) 7500, 15000, 30000, 60000 Bandwidth (kHz) 15 Output 0.2 V to Vcc Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 3.6 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Type Ratiometric bipolar Sensitivity (typ) (mV/mT) 7500, 15000, 30000, 60000 Bandwidth (kHz) 15 Output 0.2 V to Vcc Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 3.6 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X2SON (DMR) 4 1.54 mm² 1.4 x 1.1
  • 业界先进的低功耗:
    • 电源电压,V CC:1.65V - 3.6V
    • 关断电流:< 20nA(25°C 时为 1.8V)
    • 有效电流:2mA(25°C 时为 1.8V)
    • 平均电流:100Hz 占空比时 < 10µA
  • 专用使能引脚
  • 快速开通时间:< 25µs
  • 比例式模拟输出与 V CC 成比例
  • 关断模式下的高阻抗输出
  • 低噪声输出,具有 ±1mA 的驱动能力
  • 支持正负磁场的双极灵敏度选项
  • 磁性灵敏度范围选项:
    • A1:±20mT 范围
    • A2:±40mT 范围
    • A3:±80mT 范围
    • A4:±160mT 范围
  • 支持钕磁铁温漂的灵敏度补偿
  • 超小型 X2SON 4 引脚封装:1.54 mm 2

  • 宽工作温度范围:–40°C 至 125°C
  • 业界先进的低功耗:
    • 电源电压,V CC:1.65V - 3.6V
    • 关断电流:< 20nA(25°C 时为 1.8V)
    • 有效电流:2mA(25°C 时为 1.8V)
    • 平均电流:100Hz 占空比时 < 10µA
  • 专用使能引脚
  • 快速开通时间:< 25µs
  • 比例式模拟输出与 V CC 成比例
  • 关断模式下的高阻抗输出
  • 低噪声输出,具有 ±1mA 的驱动能力
  • 支持正负磁场的双极灵敏度选项
  • 磁性灵敏度范围选项:
    • A1:±20mT 范围
    • A2:±40mT 范围
    • A3:±80mT 范围
    • A4:±160mT 范围
  • 支持钕磁铁温漂的灵敏度补偿
  • 超小型 X2SON 4 引脚封装:1.54 mm 2

  • 宽工作温度范围:–40°C 至 125°C

TMAG5253 是一款低功耗线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件具有使能引脚,可进入超低功耗 (nA) 关断模式。 TMAG5253 的启动时间很短 (< 25µs),专为低功耗位置检测应用而设计。该器件采用业界出色的 1.54mm 2 超小型封装,适用于空间狭小的应用。该器件具有宽电源电压范围,可在 1.65V 至 3.6V 电压范围内运行。

垂直于封装顶部的磁通量由器件感应,并且 TMAG5253 提供双极灵敏度极性选项,其中北磁极和南磁极会产生不同的输出电压。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。

该器件使用比例式架构,当外部模数转换器 (ADC) 使用相同的 V CC 作为其基准电压时,可消除 V CC 容差产生的误差。此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可抵消 -40°C 至 125°C 宽温度范围内的磁灵敏度漂移。该器件还能够在关断模式下将输出置于高阻抗状态。这使得多个器件能够连接到单个 ADC。

TMAG5253 是一款低功耗线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件具有使能引脚,可进入超低功耗 (nA) 关断模式。 TMAG5253 的启动时间很短 (< 25µs),专为低功耗位置检测应用而设计。该器件采用业界出色的 1.54mm 2 超小型封装,适用于空间狭小的应用。该器件具有宽电源电压范围,可在 1.65V 至 3.6V 电压范围内运行。

垂直于封装顶部的磁通量由器件感应,并且 TMAG5253 提供双极灵敏度极性选项,其中北磁极和南磁极会产生不同的输出电压。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。

该器件使用比例式架构,当外部模数转换器 (ADC) 使用相同的 V CC 作为其基准电压时,可消除 V CC 容差产生的误差。此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可抵消 -40°C 至 125°C 宽温度范围内的磁灵敏度漂移。该器件还能够在关断模式下将输出置于高阻抗状态。这使得多个器件能够连接到单个 ADC。

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证书 TMAG5253EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 8月 31日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

HALL-ADAPTER-EVM — 霍尔传感器分线适配器评估模块

借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快您的开关、锁存器和线性霍尔传感器原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
用户指南: PDF
英语版 (Rev.C): PDF
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评估板

TMAG5253EVM — TMAG5253 低功耗线性霍尔效应传感器评估模块

TMAG5253 评估模块 (EVM) 支持用户评估 TMAG5253 低功耗线性霍尔效应传感器的性能。TMAG5253EVM 提供一个用于禁用器件的使能引脚、一个用于评估功耗的板载分流器,以及一个红绿蓝 (RGB) LED,用于以视觉形式为用户反馈器件测得的磁通量大小。

用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
设计工具

TMAG5253EVM STL Files

SBAR024.ZIP (1183 KB)
模拟工具

TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR TI Magnetic sensing simulation tool

The TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR (TIMSS) webtool estimates magnetic flux density and TI magnetic sensor outputs for magnetic position sensing systems. Select from our portfolio of magnetic sensors to thoroughly emulate electro-mechanical performance of your design. The tool supports various magnet (...)
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
霍尔效应锁存器和开关
DRV5011 小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5012 低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5013 高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5013-Q1 汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5015 高灵敏度 (±2mT)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5015-Q1 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压(高达 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5021 低电压(最高 5.5V)、高带宽(高达 30kHz)单极开关 DRV5021-Q1 汽车类 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关 DRV5023 高电压(高达 38V)、高带宽(高达 30kHz)单极开关 DRV5023-Q1 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应单极开关 DRV5032 低功耗(5Hz,<1µA) low-voltage (up to 5.5V) switch DRV5033 高电压(高达 38V)、高带宽(高达 30kHz)全极开关 DRV5033-Q1 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应全极开关 TMAG5110 高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5110-Q1 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5111 高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5111-Q1 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5115 具有低抖动(快速响应)的高速霍尔效应锁存器 TMAG5123 高压(高达 38V)、平面高精度开关 TMAG5123-Q1 汽车类平面、高精度、高压开关 TMAG5124 双线(电流输出)、高压(高达 38V)、高精度遥感开关 TMAG5124-Q1 汽车类 2 线高压(高达 38V)、高精度开关 TMAG5131-Q1 汽车类低功耗(10Hz,1µA)低电压(低至 1.65V)霍尔效应开关 TMAG5213 适用于低成本应用的高带宽 (30kHz)、高电压 (26V) 霍尔效应锁存器 TMAG5231 低功耗、低压(1.65V 至 5.5V)霍尔效应开关 TMAG5233 平面(X 轴)霍尔效应开关 TMAG5328 电阻器可调节的低功耗霍尔效应开关
线性霍尔效应传感器
DRV5053 高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5053-Q1 汽车类、高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器 DRV5055-Q1 具有模拟输出的汽车级、比例式线性霍尔效应传感器 DRV5056 具有模拟输出的比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5056-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5057 具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器 DRV5057-Q1 具有数字 PWM 输出的汽车类线性霍尔效应传感器 TMAG5253 具有使能引脚、采用超小型 X2SON 封装的低功耗线性霍尔效应传感器
多轴线性和角度位置传感器
TMAG3001 采用 Wafer Chip-Scale Package、具有 I²C 和可编程开关的三轴线性霍尔效应传感器 TMAG5170 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170-Q1 具有 SPI 总线接口的汽车级高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170D-Q1 具有 SPI 接口的汽车类高精度 3D 线性霍尔效应双芯片传感器 TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车级高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5273 具有 I²C 接口的低功耗线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG6180-Q1 具有 360° 角度范围的汽车级高精度模拟 AMR 角度传感器 TMAG6181-Q1 具有集成匝数计数器的汽车级高精度模拟 AMR 角度传感器
硬件开发
评估板
DRV5011-5012EVM DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块 DRV5032-SOLAR-EVM DRV5032 超低功耗、1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器评估模块 DRV5055-5057EVM DRV5055、DRV5056 和 DRV5057 线性霍尔效应传感器评估模块 DRV5055-ANGLE-EVM DRV5055 角度评估模块 DRV5055EVM DRV5055 评估模块 HALL-ADAPTER-EVM 霍尔传感器分线适配器评估模块 HALL-HINGE-EVM 适用于 TMAG5231 霍尔效应铰链的评估模块 HALL-HMI-ROCKER-EVM 适用于具有霍尔效应开关的人机界面 (HMI) 翘板开关的评估模块 HALL-TRIGGER-EVM 适用于非接触式霍尔效应变速触发器、具有外部磁场保护的评估模块 LDC-HALL-HMI-EVM 适用于电感触控和磁旋钮非接触式用户接口设计的评估模块 TMAG3001EVM TMAG3001 具有 I²C 和可编程开关的三轴线性霍尔效应传感器评估模块 TMAG5110-5111EVM TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器评估模块 TMAG5115EVM TMAG5115 具有高灵敏度、低抖动和高电压的霍尔效应锁存器评估模块 TMAG5123EVM TMAG5123 平面内高精度霍尔效应开关评估模块 TMAG5124EVM TMAG5124 双线霍尔效应开关评估模块 TMAG5170DEVM TMAG5170DEVM 高精度 3D 线性霍尔效应双裸片传感器评估模块 TMAG5170UEVM TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5173EVM TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车级、高精度、线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5253EVM TMAG5253 低功耗线性霍尔效应传感器评估模块 TMAG5273EVM TMAG5273 I²C 接口、低功耗线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5328EVM 适用于 TMAG5328 电阻器可调节低功耗霍尔效应开关的评估模块 TMAG6180-6181EVM 具有差分正弦和余弦模拟输出的 TMAG6180 和 TMAG6181 评估模块
软件
计算工具
HALL-PROXIMITY-DESIGN Magnetic sensing proximity tool
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
X2SON (DMR) 4 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频