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LM74930-Q1

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具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器

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LM74930-Q1

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产品详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Surge protection Iq (typ) (mA) 0.65 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Surge protection Iq (typ) (mA) 0.65 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 4V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速 DGATE 关断响应 (0.5µs)
  • 18mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
  • 可调节过压和欠压保护
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • MODE 引脚可允许双向电流（MODE = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求

  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 4V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速 DGATE 关断响应 (0.5µs)
  • 18mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
  • 可调节过压和欠压保护
  • 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
  • MODE 引脚可允许双向电流（MODE = 低电平）
  • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求

  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制，并提供过流和过压保护功能。4 V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控制 (HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压事件时允许负载断开（开/关控制），同时理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二极管，从而通过阻止反向电流从输出端流到输入端来实现输入反极性保护和输出电压保持。该器件具有集成的电流检测放大器，通过断路器功能提供可调节的过流和短路保护。该器件具有可调节过压和欠压保护功能，可防止电源瞬变。LM74930-Q1 有一个 MODE 引脚可用于选择性地启用或禁用反向电流阻断功能。

LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制，并提供过流和过压保护功能。4 V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控制 (HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压事件时允许负载断开（开/关控制），同时理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二极管，从而通过阻止反向电流从输出端流到输入端来实现输入反极性保护和输出电压保持。该器件具有集成的电流检测放大器，通过断路器功能提供可调节的过流和短路保护。该器件具有可调节过压和欠压保护功能，可防止电源瞬变。LM74930-Q1 有一个 MODE 引脚可用于选择性地启用或禁用反向电流阻断功能。
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* 数据表 LM74930-Q1 具有断路器、过压保护和故障输出功能的汽车类理想二极管浪涌抑制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 7月 19日
应用简报 使用 LM74930-Q1 针对汽车系统中未抑制的负载突降提供保护 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 16日
EVM 用户指南 LM74930-Q1 理想二极管控制器评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 9日
证书 LM74930Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 10月 5日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM74930Q1EVM — LM74930-Q1 具有断路器的 3V 至 65V 浪涌抑制器评估模块

LM74930-Q1 评估模块 (EVM) 是一个用于评估 LM74930-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行和性能的平台。LM74930Q1EVM 可以演示 LM74930-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET，以模拟具有浪涌抑制器、断路器和过压保护功能的理想二极管整流器。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

LM74930-Q1 PSpice Transient Model

SNOM787.ZIP (73 KB) - PSpice Model
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计算工具

LM74930-CALC — Design calculator for LM74930-Q1 ideal diode controller

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74930-Q1 ideal diode controller
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
理想二极管/ORing 控制器
LM74930-Q1 — 具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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