LM25185-Q1

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具有低 IQ 和低 EMI 的汽车类 42V 输入电压初级侧调节反激式控制器

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Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 42 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode Peak current mode Topology PSR flyback Rating Automotive
Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 42 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode Peak current mode Topology PSR flyback Rating Automotive
HTSSOP (PWP) 14 32 mm² 5 x 6.4
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 的环境温度范围
  • 功能安全型
  • 4.5V 至 42V 宽输入电压范围
  • 功率范围从小于 1W 扩展到大于 50W
  • 稳健的 PSR 反激式设计,适用于可靠耐用的应用
    • 稳定可靠的设计,只有一个变压器穿过隔离层
    • ±1.5% 的总输出稳压精度
    • 可选 VOUT 温度补偿
    • 输入 UVLO 和热关断保护
    • 断续模式过流故障保护
    • 采用 14 引脚 HTSSOP 封装,具有 0.9mm HV-LV 引脚间距
    • 具有 –40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 通过集成技术减小设计尺寸,降低成本
    • 无需光耦合器或变压器辅助绕组即可进行 V OUT 稳压
    • 具有 2A 峰值灌电流和 1A 峰值拉电流的大电流功率 MOSFET 栅极驱动器
  • 高效率和出色的工作 I Q
    • 重负载情况下,可在边界导通模式 (BCM) 下实现准谐振开关
    • 具有用于提升效率的外部 VCC 选项
    • 高轻负载效率,超低 I Q(使用外部 VCC 时,典型值为 25µA)
    • 具有单输出和多输出实施方案
  • 超低的 EMI 传导和辐射信号
    • 软开关可避免二极管反向恢复
    • 可以满足 CISPR 25 EMI 要求
  • 使用 LM25185-Q1 并借助 WEBENCH Power Designer 创建定制设计方案
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 的环境温度范围
  • 功能安全型
  • 4.5V 至 42V 宽输入电压范围
  • 功率范围从小于 1W 扩展到大于 50W
  • 稳健的 PSR 反激式设计,适用于可靠耐用的应用
    • 稳定可靠的设计,只有一个变压器穿过隔离层
    • ±1.5% 的总输出稳压精度
    • 可选 VOUT 温度补偿
    • 输入 UVLO 和热关断保护
    • 断续模式过流故障保护
    • 采用 14 引脚 HTSSOP 封装,具有 0.9mm HV-LV 引脚间距
    • 具有 –40°C 至 +150°C 的结温范围
  • 通过集成技术减小设计尺寸,降低成本
    • 无需光耦合器或变压器辅助绕组即可进行 V OUT 稳压
    • 具有 2A 峰值灌电流和 1A 峰值拉电流的大电流功率 MOSFET 栅极驱动器
  • 高效率和出色的工作 I Q
    • 重负载情况下,可在边界导通模式 (BCM) 下实现准谐振开关
    • 具有用于提升效率的外部 VCC 选项
    • 高轻负载效率,超低 I Q(使用外部 VCC 时,典型值为 25µA)
    • 具有单输出和多输出实施方案
  • 超低的 EMI 传导和辐射信号
    • 软开关可避免二极管反向恢复
    • 可以满足 CISPR 25 EMI 要求
  • 使用 LM25185-Q1 并借助 WEBENCH Power Designer 创建定制设计方案

LM25185-Q1 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式控制器,在 4.5V 至 42V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压采样自初级侧反激式电压,因此,无需使用光耦合器、电压基准或变压器的第三绕组进行输出电压稳压。

高集成度可实现简单可靠的高密度设计,其中只有一个变压器穿过隔离层。通过采用边界导电模式 (BCM) 开关,可实现紧凑的磁设计以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。BCM 支持高达 42V 输入的应用,并具有可应对线路瞬变的较高余量。

LM25185-Q1 反激式控制器简化了隔离式直流/直流电源的实施,并具有用于优化目标终端设备性能的可选功能。该器件通过一个电阻器来设置输出电压,同时使用可选的电阻器通过抵消反激式二极管的压降热系数来提高输出电压精度。 LM25185-Q1 控制器具有集成的大电流 MOSFET 栅极驱动器,可将功率范围从小于 1W 扩展到大于 50W,从而使该器件成为在宽功率范围内易于迁移的可扩展设计。使用 COMP 引脚的可调补偿和使用电流检测电阻器的可调峰值电流限制使设计变得灵活,是满足不同应用要求的理想选择。

其他特性包括内部固定或外部可编程软启动、用于提高效率的可选外部 VCC、用于可调节线路 UVLO 且具有迟滞功能的精密使能输入、具有分流电流检测功能的峰值电流模式控制、断续模式过载保护、大电流 MOSFET 栅极驱动器以及具有自动恢复功能的热关断保护。无需连接高压 MOSFET 漏极,因此可提高安全性并简化 PCB 间隙要求。

LM25185-Q1 控制器符合汽车 AEC-Q100 1 级标准并采用引脚间距为 0.65mm 的 14 引脚 5mm × 4.4mm 热增强型 HTSSOP 封装。

LM25185-Q1 是一款初级侧稳压 (PSR) 反激式控制器,在 4.5V 至 42V 的宽输入电压范围内具有高效率。隔离输出电压采样自初级侧反激式电压,因此,无需使用光耦合器、电压基准或变压器的第三绕组进行输出电压稳压。

高集成度可实现简单可靠的高密度设计,其中只有一个变压器穿过隔离层。通过采用边界导电模式 (BCM) 开关,可实现紧凑的磁设计以及优于 ±1.5% 的负载和线路调节性能。BCM 支持高达 42V 输入的应用,并具有可应对线路瞬变的较高余量。

LM25185-Q1 反激式控制器简化了隔离式直流/直流电源的实施,并具有用于优化目标终端设备性能的可选功能。该器件通过一个电阻器来设置输出电压,同时使用可选的电阻器通过抵消反激式二极管的压降热系数来提高输出电压精度。 LM25185-Q1 控制器具有集成的大电流 MOSFET 栅极驱动器,可将功率范围从小于 1W 扩展到大于 50W,从而使该器件成为在宽功率范围内易于迁移的可扩展设计。使用 COMP 引脚的可调补偿和使用电流检测电阻器的可调峰值电流限制使设计变得灵活,是满足不同应用要求的理想选择。

其他特性包括内部固定或外部可编程软启动、用于提高效率的可选外部 VCC、用于可调节线路 UVLO 且具有迟滞功能的精密使能输入、具有分流电流检测功能的峰值电流模式控制、断续模式过载保护、大电流 MOSFET 栅极驱动器以及具有自动恢复功能的热关断保护。无需连接高压 MOSFET 漏极,因此可提高安全性并简化 PCB 间隙要求。

LM25185-Q1 控制器符合汽车 AEC-Q100 1 级标准并采用引脚间距为 0.65mm 的 14 引脚 5mm × 4.4mm 热增强型 HTSSOP 封装。

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* 数据表 LM25185-Q1具有低 IQ和低 EMI 的42VINPSR 反激式汽车类直流/直流控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 6月 15日
功能安全信息 LMx5185-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2023年 5月 24日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LM5185EVM-SIO — LM5185-Q1 单隔离输出评估模块

LM5185EVM-SIO 评估模块 (EVM) 展示了 LM5185-Q1 初级侧调节 (PSR) 反激式控制器的特性和性能。该器件可对变压器初级绕组的电压进行采样,从而实现严格的输出稳压,无需使用光耦合器或三级偏置绕组。输入电压范围为 20V 至 60V,输出为 16.4V,额定负载为 1A。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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LM25185-DESIGN-CALC LM25185 PSR flyback controller quick start design calculator

LM25185 PSR flyback controller quick start design calculator
支持的产品和硬件

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AC/DC & DC/DC controllers (external FET)
LM25185 具有低 IQ 和低 EMI 的 42V 输入电压初级侧调节反激式控制器 LM25185-Q1 具有低 IQ 和低 EMI 的汽车类 42V 输入电压初级侧调节反激式控制器
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订购和质量

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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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