使用 GaN 电源开关提高电机性能

专为高速电机或电感较低的电机而设计的永磁同步电机通常需要高 PWM 频率，以减少电流纹波并实现出色的电机性能。终端设备示例包括吹风机、鼓风机和泵。

电机绕组中较高的电流纹波会导致不必要的扭矩纹波，增加铜和磁芯损耗，并导致开关期间检测到的平均电机电流不准确。

基于 MOSFET 或 IGBT 的 IPM 的额定使用频率通常为 20kHz；但是，由于开关损耗较高，它们通常用于较低的开关频率（6kHz 至 16kHz）。由于 GaN 即使在较低的 dv/dt 下也能提供低得多的开关损耗，因此能够以高得多的频率进行开关以提高电机效率和性能。

图 3 展示了 DRV7308 的功能方框图，此器件集成了针对所有 GaN FET 且具有相位节点电压压摆率控制功能的前置驱动器。DRV7308 有助于在 Quad Flat No-lead (QFN) 12mm x 12mm 封装内的三相调制、场定向控制驱动的 250W 电机驱动应用中实现超过 99% 的逆变器效率，无需散热器。