ZHCUAU0A january   2023  – april 2023 TPS7H3302-SEP

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2说明
    1. 2.1 相关信息
    2. 2.2 典型应用
    3. 2.3 特性
    4. 2.4 性能规格汇总
  6. 3测试设置
    1. 3.1 设备
      1. 3.1.1 电源
      2. 3.1.2 1 号负载
    2. 3.2 EVM 连接器和测试点
    3. 3.3 测试步骤
      1. 3.3.1 EVM 波特图测量设置
      2. 3.3.2 EVM 瞬态测试
  7. 4电路板布局
  8. 5原理图
  9. 6物料清单
  10. 7相关文档
  11. 8修订历史记录

3.3.1 EVM 波特图测量设置

EVM 波德图测量的设置如下：

  1. 使用 Bode 100 环路分析仪或等效设备。
  2. 移除 J5 上的跳线，将 VDDQSNS 与 VLDOIN 隔离。要使用连接到单个 VDDQ 和 VDDQSNS 的 VLDOIN 进行测试，请使用可选滤波器。请参阅以下注意事项。
  3. 将振荡器输出连接到 R3=51Ω 电阻器两端。将振荡器输出连接到 TP4 (VTTSNS)。
  4. 将分析仪的通道 2 连接到 TP5，并将地线连接到 TP2
  5. 将分析仪的通道 1 连接到 TP4，并将地线连接到 TP2。
  6. 为 EVM 提供 VLDOIN、VIN、VDDQSNS 和 VTT 负载所需的条件。
  7. 将 EVM 加载到所需负载后，在所需频率范围内运行波特图。

为验证负载和额定工作温度下的稳定性，请在应用电路中安装四个 4.7uF 陶瓷输出电容器。

注意： 所有提供的波特测量值 VDDQSNS 均由 VLDOIN 的独立电源提供。如果 VDDQSNS 和 VLDOIN 输入连接到同一电源，请使用 EVM 上的隔离滤波器将 VLDOIN 上的负载影响与 VDDQSNS 隔离开来。可以通过更换 R4 和 C3 的组件来使用该滤波器。
图 3-1 至图 3-3 显示了此 EVM 的波特图。所有波特图都使用 EVM 上填充的默认 CIN 和 COUT 电容生成。CIN = 150µF 钽 // 5µF-10µF 陶瓷，COUT = 3µF-150µF 钽 // 4µF-4.7µF 陶瓷。

GUID-20230414-SS0I-TM92-LHBF-X5PCG1NMC0WJ-low.svg图 3-1 DDR3 波特图 Iload = 500mA
GUID-20230414-SS0I-GW1X-9Q2Q-BRCHGMW87ZWM-low.svg图 3-2 DDR3 波特图 Iload = 1A
GUID-20230414-SS0I-5THT-SMLG-CNZHR8JHH2XW-low.svg图 3-3 DDR3 波特图 Iload = 3A

TI 建议 VLDOIN 和 VDDQSNS 相互隔离。如果无法隔离 VLDOIN 和 VDDQSNS，则在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之间添加一个外部输入滤波器。在 VLDOIN 和 VDDQSNS 之间添加 RC 滤波器会导致 VTT 和 VTTREF 对 VDDQSNS 的动态跟踪丢失。