ZHCSBA7B June   2013  – July 2014 CSD18537NQ5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

4 修订历史记录

Changes from A Revision (February 2014) to B Revision

  • 由于 RθJC 增大，芯片电流限值降至 54A Go
  • 添加了外壳温度保持在 25°C 时的最大功耗一行 Go
  • 更新了脉冲电流条件 Go
  • Increased the maximum RθJC to 2.1 ºC/W Go
  • Updated Figure 1 from a normalized RθJA curve to an RθJC curveGo
  • Updated Figure 10 to show an improved SOAGo
  • Updated Figure 12 to show a 50-A package current limit Go

Changes from * Revision (June 2013) to A Revision

  • 已在说明中添加更多信息Go
  • 已更新订购信息以包含小卷带信息Go
  • 已从受封装限制的持续漏极电流中删除 TC = 25°C 这一条件Go
  • 脉冲电流限值增加为 151 Go