ZHCADQ3 January 2024 UCC27201A
在任何应用中,确定自举电容器和 VDD 电容器的正确容值都很重要,在双向直流/直流转换器中更是如此。下面快速介绍了选择自举电容值和 VDD 电容值的过程。应用手册“针对半桥配置的自举电路选择”也是有关此主题的不错参考。
首先计算自举电容在对 MOSFET QG 充电过程中允许的压降。
其中...
接下来确定自举电容器每个开关周期所需的总电荷,通常由 MOSFET QG 决定。
其中...
最后,目标最小自举电容器值可以通过以下公式确定。
通过上述分析可得出最小自举电容值,以便提供足够的自举偏置电荷,从而以足够的 VGS 正确驱动高侧 MOSFET QG。电容器必须是高质量电介质,例如 X7R 或性能更好的电介质,设计人员需要考虑施加的温度和电压的容差并增加一些裕度。
如果设计在启用相位时无法适应 LI 输入启动脉冲的建议时序,或者无法容纳低频 LI 脉冲以使 HB-HS 偏置电容器在空闲时保持充电状态,建议使外部自举二极管和驱动器中的内部自举二极管并联配置。此外,选择 100V 半桥驱动器(例如 LM5101A、UCC2720x(A)、UCC27211A、UCC27301A 或 UCC27311A)也很重要。
外部自举二极管必须是肖特基二极管,其额定电压足以在包括任何 HS 电压过冲在内的最坏工作条件下满足 HS 上的最大电压。此外,外部二极管 VF 必须确保外部二极管传导大部分自举充电电流,以降低驱动器内部二极管上的应力。将外部二极管靠近驱动器 VDD 和 HB 引脚放置非常重要,因此小型封装器件非常适合这种情况。
图 3-1 显示了采用小型 SOD123 封装的 100V 肖特基外部二极管的理想二极管正向电压曲线。80mA 和 100uA 条件下的驱动器内部自举二极管 VF 参数也是以红色显示。
您可以看到,驱动器内部自举二极管 VF 的红色标记明显高于作为目标的外部二极管。还请注意,需要采用小型封装以便靠近驱动器 IC 放置,并选择具有高峰值电流能力的二极管,因为自举二极管在从 0V 向自举电容器充电的初始充电脉冲期间可能具有高峰值电流。