虚拟电阻的值对输出放电时间和最大放电电流都有影响。

考虑到最坏的情况，当系统禁用时，负载电流为 0A，然后通过下式计算输出放电时间：

其中

• R_Dummy 是虚拟电阻
• R_FET 是 PG 引脚中开漏 NMOS 的 Rds_on，通常比虚拟电阻器小得多，因此可以忽略不计。
• C_OUT 是输出电容。
• r 是放电端子电压 (V_TERMI) 与标称输出电压 (V_OUT) 的比值。

需要注意的一点是，如果工程师使用铝电解电容器或钽电容器，则 C_OUT 为标称电容，但如果工程师使用陶瓷电容器，在直流偏置电压下评估陶瓷电容器的降额时要小心，直流偏置电压会显著降低有效电容。例如，对于 22uF/10V/0603 封装陶瓷电容器，当直流偏置为 5V 时，有效电容仅为约 5.5uF。因此，使用陶瓷电容器时，建议在估算放电时间时使用标称电容和有效电容的平均值。

例如，当使用两个 22uF/10V/0603 封装陶瓷电容器时，我们得到 C_OUT= 27.5uF，如果系统要求电源电压需要在 50ms 内放电至 20% 标称电压 (r = 0.2)，则

因此最大 Rdummy 电阻为 1.11kΩ。

图 3-3 比较了计算出的放电时间和测试放电时间（基于 C_OUT = 27.5uF、r = 0.2 条件）。

最大放电电流的计算公式如下。工程师需要确保此最大电流不超过 50mA，以避免损坏内部漏极开路 NMOS。