1 为什么选择 PCB 外接闪存？

MCU 存储器需求和 CPU 性能水平要求在不断提高。具有高达 5K DMIP 和 64MB 片上闪存的 MCU 行业产品路线图很常见，但众所周知，由于对闪存位进行编程和擦除需要基于高压 (HV) 栅极氧化物的晶体管，嵌入式闪存技术预计不会扩展到 22nm 以上。例如，对于 28nm 工艺技术，需要 18 个额外的掩膜或标线（与仅 CMOS 工艺技术相比）。^1、2。

相比之下，典型的 8MB 八位串行外设接口 (OSPI) 闪存的成本可能在大约 0.5 美元到大约 0.8 美元之间。图 1-1 展示了 AM263P CPU + TCM 架构，该架构采用包含 OptiFlash 的闪存子系统 (FSS)。

嵌入式闪存技术的额外成本会导致高成本 MCU 或架构的出现，从而减少 OCSRAM 的数量以达到特定的成本。

由于高确定性、低延迟应用（例如实时控制）始终需要 OCSRAM 或 TCM，因此 OCSRAM 与闪存比率更大的 MCU 架构的性能更好。例如，AM263P TCM 的访问时间为 2.5ns，最坏情况下的 OCSRAM 访问时间在 60ns 至 90ns 之间。

最后，相变 SRAM (PC-SRAM) 或磁性 RAM (MRAM) 等替代非易失性存储器 (NVM) 技术尚不 可用于汽车和工业等高可靠性、低每百万缺陷器件数 (DPPM) 应用的批量生产。