ZHCAD11A june   2016  – august 2023 ESD122 , ESDS304 , TPD1E04U04 , TPD2E1B06 , TPD2EUSB30 , TPD4E004 , TPD4E02B04 , TPD4E05U06-Q1 , TPD6E004

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2为什么阻抗失配事关重大
  6. 3USB 3.0 第 1 代
  7. 4USB 3.1 第 2 代
  8. 5总结
  9. 6参考文献
  10. 7修订历史记录

摘要

本应用手册介绍了静电放电 (ESD) 保护二极管在高速信号中呈现的容性负载。行业趋势是芯片组尺寸越来越小,数据速率越来越高,芯片组对瞬态电压的耐受度也随之降低,这增加了对 ESD 保护二极管的需求。更高的数据速率对寄生电容非常敏感,因为大电容会导致阻抗失配。大电容会使信号失真,并导致数据损坏或无法读取。对于高速信号,ESD 保护二极管需要具有超低电容,以免干扰信号传输。在这种动态情况下,了解高速信号可承受多大的电容且仍然保持适当的信号完整性变得非常重要。