2 其他封装

D1 可使用与低侧 MOSFET 并联的肖特基二极管。由于正向压降比在防击穿期间导通的低侧 MOSFET 体二极管低，此元件可提高效率。请选择能够在最大负载电流下将正向压降保持在 0.4V 至 0.6V 的肖特基二极管（请查阅 I-V 曲线）。此外，请选择在最大输入电压基础上具有足够裕量的反向击穿电压。

C13 可使用与低侧 MOSFET 源极和高侧 MOSFET 漏极直接连接的多层陶瓷电容器 (MLCC)，以提供低电源阻抗。例如，元件 C13 与铝电解输入滤波电容器组合使用，放置在标识符 C12 和 C14 处。如果在标识符 C12 和 C14 处使用了 MLCC，则元件 C13 不是必需的。