ZHCAA01B March   2012  – July 2021 MSP430F5131 , MSP430F5132 , MSP430F5151 , MSP430F5152 , MSP430F5171 , MSP430F5172 , MSP430F5212 , MSP430F5214 , MSP430F5217 , MSP430F5219 , MSP430F5222 , MSP430F5224 , MSP430F5229 , MSP430F5232 , MSP430F5234 , MSP430F5237 , MSP430F5239 , MSP430F5242 , MSP430F5244 , MSP430F5247 , MSP430F5249 , MSP430F5252 , MSP430F5253 , MSP430F5254 , MSP430F5255 , MSP430F5256 , MSP430F5257 , MSP430F5258 , MSP430F5259 , MSP430F5304 , MSP430F5308 , MSP430F5309 , MSP430F5310 , MSP430F5324 , MSP430F5325 , MSP430F5326 , MSP430F5327 , MSP430F5328 , MSP430F5328-EP , MSP430F5329 , MSP430F5333 , MSP430F5335 , MSP430F5336 , MSP430F5338 , MSP430F5340 , MSP430F5341 , MSP430F5342 , MSP430F5358 , MSP430F5359 , MSP430F5418 , MSP430F5418A , MSP430F5419 , MSP430F5419A , MSP430F5435 , MSP430F5435A , MSP430F5436 , MSP430F5436A , MSP430F5437 , MSP430F5437A , MSP430F5438 , MSP430F5438A , MSP430F5438A-EP , MSP430F5500 , MSP430F5501 , MSP430F5502 , MSP430F5503 , MSP430F5504 , MSP430F5505 , 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  1.   商标
  2. 1ESD 简介
    1. 1.1 元件级 ESD 等级
      1. 1.1.1 人体放电模型 (HBM)
      2. 1.1.2 充电器件模型 (CDM)
    2. 1.2 系统级 ESD 等级
    3. 1.3 ESD 波形
  3. 2系统级 ESD 设计通用指南
    1. 2.1 外壳
      1. 2.1.1 外壳开口
      2. 2.1.2 外壳电缆
    2. 2.2 PCB 设计和布局
      1. 2.2.1 示例布局 - 电流环路
    3. 2.3 板载 ESD 保护器件
      1. 2.3.1 简单的无源器件
      2. 2.3.2 ESD 抑制器件
      3. 2.3.3 使用串联电阻提供 ESD 保护
    4. 2.4 电路设计和软件注意事项
      1. 2.4.1 电路设计
      2. 2.4.2 软件注意事项
    5. 2.5 ESD 测试
  4. 3系统高效 ESD 设计 (SEED)
    1. 3.1 系统级 ESD 保护方法
      1. 3.1.1 板载保护 - 初级钳位
      2. 3.1.2 片上保护 - 次级钳位
      3. 3.1.3 两级保护 - 基本 SEED 概念
    2. 3.2 系统级 ESD 设计的 SPICE 仿真方法
  5. 4基于 SEED 的 IEC 保护设计和验证 - 实际案例 1
    1. 4.1 对 IEC 应力波形建模
    2. 4.2 对 TVS 器件建模
    3. 4.3 对 MSP430 I/O 引脚建模
    4. 4.4 隔离阻抗计算
    5. 4.5 SPICE 仿真 – SEED 方法
    6. 4.6 板级验证
  6. 5系统级 ESD 保护 - 实际案例 2
  7. 6总结
  8. 7使用 TLP 参数建模
    1. 7.1 使用 TLP 参数对 TVS 器件建模 [8]
    2. 7.2 使用 TLP 参数对要保护的 IC 接口引脚建模 [8]
  9. 8参考文献
  10.   修订历史记录

2.3.2 ESD 抑制器件

  • 确定可应用于系统信号线路的最大电容，并在敏感信号（如复位、中断、边沿触发信号等）上放置适当的滤波器或 TVS
  • 将滤波器或瞬态抑制器放置在易受直接放电（包括进入光隔离器的信号）影响的电缆的外接接收器和驱动器上
  • 根据可获得的钳位电压电平、击穿电压、响应时间、电容、动态电阻以及承受 ESD 多次冲击的能力，为系统选择保护元件。德州仪器 (TI) 提供了各种 ESD 和 EMI 保护器件和解决方案；更多有关 ESD 和 EMI 保护产品系列的信息，请参阅参考文献 [5]。

TVS 二极管

与其他瞬态抑制器件相比，TVS 二极管具有更低的电容和更低的动态电阻值。它们具有很高的 ESD 多次冲击吸收能力；也就是说，一旦 ESD 冲击被吸收，保护器件就会迅速恢复到高阻抗状态。这些器件具有非常低的钳位电压和击穿电压，并具有出色的响应时间。

压敏电阻

发生 ESD 事件时，压敏电阻会从很高的待机值变为很低的导电值，从而吸收 ESD 能量并限制 ESD 感应电压。压敏电阻通常具有超过 50V 的触发电压，超过 100V 的钳位电压和超过 20Ω 的动态电阻（导通后）[2]。它们具有较低的电容，但在 ESD 应力作用下具有很大的泄漏电流。

聚合物

这些器件的工作原理类似于压敏电阻，但电容很低（0.05 至 1pF），非常适合高频应用。击穿电压较高（与压敏电阻相比），耐 ESD 多次冲击的能力较低。