ZHCSAO6G December   2012  – June 2019 UCC27531 , UCC27533 , UCC27536 , UCC27537 , UCC27538

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      无需负偏压即可驱动 IGBT
  4. 4 修订历史记录
    1.     说明 （续）
  5. 5 Device Comparison Table
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Timing Diagrams
    8. 7.8 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagrams
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 VDD Undervoltage Lockout
      2. 8.3.2 Input Stage
      3. 8.3.3 Enable Function
      4. 8.3.4 Output Stage
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Applications and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Driving IGBT Without Negative Bias
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 9.2.1.2.1 Input-to-Output Configuration
          2. 9.2.1.2.2 Input Threshold Type
          3. 9.2.1.2.3 VDD Bias Supply Voltage
          4. 9.2.1.2.4 Peak Source and Sink Currents
          5. 9.2.1.2.5 Enable and Disable Function
          6. 9.2.1.2.6 Propagation Delay
          7. 9.2.1.2.7 Power Dissipation
        3. 9.2.1.3 Application Curve
      2. 9.2.2 Driving IGBT With 13-V Negative Turn-Off BIAS
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.2.3 Application Curve
      3. 9.2.3 Single-Output Driver
        1. 9.2.3.1 Design Requirements
        2. 9.2.3.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.3.3 Application Curve
      4. 9.2.4 Using UCC2753x Drivers in an Inverter
        1. 9.2.4.1 Design Requirements
        2. 9.2.4.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.4.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Consideration
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 相关链接
    2. 12.2 商标
    3. 12.3 静电放电警告
    4. 12.4 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4 Thermal Information

THERMAL METRIC(1) UCC27533, UCC27536, UCC27537 UCC27531, UCC27538 UCC27531 UNIT
DBV DBV SOIC
5 PINS 6 PINS 8 PINS
RθJA Junction-to-ambient thermal resistance(2) 178.3 178.3 129.9 °C/W
RθJC(top) Junction-to-case (top) thermal resistance(3) 109.7 109.7 79.9
RθJB Junction-to-board thermal resistance(4) 28.3 28.3 68.1
ψJT Junction-to-top characterization parameter(5) 14.7 14.7 22.7
ψJB Junction-to-board characterization parameter(6) 27.8 27.8 69.8
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参见应用报告《半导体和 IC 封装热指标》（文献编号：SPRA953）。
(2) 在 JESD51-2a 描述的环境中，按照 JESD51-7 的规定，在一个 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真，从而获得自然对流条件下的结至环境热阻抗。
(3) 通过在封装顶部进行冷板测试仿真来获得结至外壳（顶部）热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述，但 可在 ANSI SEMI 标准 G30 - 88 中找到相应的说明。
(4) 结至板热阻，可按照 JESD51-8 中的说明在使用环形冷板夹具来控制 PCB 温度的环境中进行仿真来获得。
(5) 结点至顶部特性参数 ψJT 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获取该温度。
(6) 结点至电路板特性参数 ψJB 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获取该温度。