ZHCSIA8D March   2018  – October 2019 TPS23880

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
    2. 6.1 详细引脚 说明
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 参数测量信息
    1. 8.1 时序图
  9. 详细 说明
    1. 9.1 概述
      1. 9.1.1 工作模式
        1. 9.1.1.1 自动
        2. 9.1.1.2 半自动
        3. 9.1.1.3 手动/诊断
        4. 9.1.1.4 关闭
      2. 9.1.2 通道 与端口 技术
      3. 9.1.3 请求的 分级与分配的 分级
      4. 9.1.4 功率分配和功率降级
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 功能 说明
      1. 9.3.1 端口重映射
      2. 9.3.2 端口功率优先级
      3. 9.3.3 模数转换器 (ADC)
      4. 9.3.4 I2C 看门狗
      5. 9.3.5 电流折返保护
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 检测
      2. 9.4.2 连接检查
      3. 9.4.3 分级
      4. 9.4.4 直流断开
    5. 9.5 I2C 编程
      1. 9.5.1 I2C 串行接口
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1 完整寄存器组
      2. 9.6.2 详细的寄存器说明
        1. 9.6.2.1  中断寄存器
          1. Table 5. 中断寄存器字段说明
        2. 9.6.2.2  中断屏蔽寄存器
          1. Table 6. 中断屏蔽寄存器字段说明
        3. 9.6.2.3  电源事件寄存器
          1. Table 7. 电源事件寄存器字段说明
        4. 9.6.2.4  检测事件寄存器
          1. Table 8. 检测事件寄存器字段说明
        5. 9.6.2.5  故障事件寄存器
          1. Table 9. 故障事件寄存器字段说明
        6. 9.6.2.6  启动/ILIM 事件寄存器
          1. Table 10. 启动/ILIM 事件寄存器字段说明
        7. 9.6.2.7  电源和故障事件寄存器
          1. Table 11. 电源和故障事件寄存器字段说明
          2. 9.6.2.7.1 检测到 SRAM 故障和“安全模式”
        8. 9.6.2.8  通道 1 发现寄存器
        9. 9.6.2.9  通道 2 发现寄存器
        10. 9.6.2.10 通道 3 发现寄存器
        11. 9.6.2.11 通道 4 发现寄存器
          1. Table 12. 通道 n 发现寄存器字段说明
        12. 9.6.2.12 电源状态寄存器
          1. Table 13. 电源状态寄存器字段说明
        13. 9.6.2.13 引脚状态寄存器
          1. Table 14. 引脚状态寄存器字段说明
        14. 9.6.2.14 工作模式寄存器
          1. Table 15. 工作模式寄存器字段说明
        15. 9.6.2.15 断开使能寄存器
          1. Table 18. 断开使能寄存器字段说明
        16. 9.6.2.16 检测/分级使能寄存器
          1. Table 19. 检测/分级使能寄存器字段说明
        17. 9.6.2.17 功率优先级/2 线对 PCUT 禁用寄存器名称
          1. Table 20. 功率优先级/2P-PCUT 禁用寄存器字段说明
        18. 9.6.2.18 时序配置寄存器
          1. Table 22. 时序配置寄存器字段说明
        19. 9.6.2.19 通用屏蔽寄存器
          1. Table 23. 通用屏蔽寄存器字段说明
        20. 9.6.2.20 检测/分级重启寄存器
          1. Table 25. 检测/分级重启寄存器字段说明
        21. 9.6.2.21 电源使能寄存器
          1. Table 26. 电源使能寄存器字段说明
        22. 9.6.2.22 复位寄存器
          1. Table 30. 复位寄存器字段说明
        23. 9.6.2.23 ID 寄存器
          1. Table 32. ID 寄存器字段说明
        24. 9.6.2.24 连接检查和 Auto Class 状态寄存器
          1. Table 33. 连接检查和 Auto Class 字段说明
        25. 9.6.2.25 2 线对管制通道 1 配置寄存器
        26. 9.6.2.26 2 线对管制通道 2 配置寄存器
        27. 9.6.2.27 2 线对管制通道 3 配置寄存器
        28. 9.6.2.28 2 线对管制通道 4 配置寄存器
          1. Table 34. 2 线对管制寄存器字段说明
        29. 9.6.2.29 加电故障寄存器
          1. Table 37. 加电故障寄存器字段说明
        30. 9.6.2.30 端口重映射寄存器
          1. Table 38. 端口重映射寄存器字段说明
        31. 9.6.2.31 通道 1 和 2 多位优先级寄存器
        32. 9.6.2.32 通道 3 和 4 多位优先级寄存器
          1. Table 39. 通道 n MBP 寄存器字段说明
        33. 9.6.2.33 4 线对有线和端口功率分配寄存器
          1. Table 41. 4 线对有线和功率分配寄存器字段说明
        34. 9.6.2.34 4 线对管制通道 1 和 2 配置寄存器
        35. 9.6.2.35 4 线对管制通道 3 和 4 配置寄存器
          1. Table 43. 4 线对管制寄存器字段说明
        36. 9.6.2.36 温度寄存器
          1. Table 45. 温度寄存器字段说明
        37. 9.6.2.37 4 线对故障配置寄存器
          1. Table 46. 4 线对故障寄存器字段说明
        38. 9.6.2.38 输入电压寄存器
          1. Table 47. 输入电压寄存器字段说明
        39. 9.6.2.39 通道 1 电流寄存器
        40. 9.6.2.40 通道 2 电流寄存器
        41. 9.6.2.41 通道 3 电流寄存器
        42. 9.6.2.42 通道 4 电流寄存器
          1. Table 48. 通道 n 电流寄存器字段说明
        43. 9.6.2.43 通道 1 电压寄存器
        44. 9.6.2.44 通道 2 电压寄存器
        45. 9.6.2.45 通道 3 电压寄存器
        46. 9.6.2.46 通道 4 电压寄存器
          1. Table 49. 通道 n 电压寄存器字段说明
        47. 9.6.2.47 2x 折返选择寄存器
          1. Table 50. 2x 折返选择寄存器字段说明
        48. 9.6.2.48 固件版本寄存器
          1. Table 51. 固件版本寄存器字段说明
        49. 9.6.2.49 I2C 看门狗寄存器
          1. Table 52. I2C 看门狗寄存器字段说明
        50. 9.6.2.50 器件 ID 寄存器
          1. Table 54. 器件 ID 寄存器字段说明
        51. 9.6.2.51 通道 1 检测电阻寄存器
        52. 9.6.2.52 通道 2 检测电阻寄存器
        53. 9.6.2.53 通道 3 检测电阻寄存器
        54. 9.6.2.54 通道 4 检测电阻寄存器
          1. Table 55. 检测电阻寄存器字段说明
        55. 9.6.2.55 通道 1 分配的分级寄存器
        56. 9.6.2.56 通道 2 分配的分级寄存器
        57. 9.6.2.57 通道 3 分配的分级寄存器
        58. 9.6.2.58 通道 4 分配的分级寄存器
          1. Table 56. 通道 n 分配的分级寄存器字段说明
        59. 9.6.2.59 AUTO CLASS 控制寄存器
          1. Table 59. AUTO CLASS 控制寄存器字段说明
        60. 9.6.2.60 通道 1 AUTO CLASS 功率寄存器
        61. 9.6.2.61 通道 2 AUTO CLASS 功率寄存器
        62. 9.6.2.62 通道 3 AUTO CLASS 功率寄存器
        63. 9.6.2.63 通道 4 AUTO CLASS 功率寄存器
          1. Table 61. AUTO CLASS 功率寄存器字段说明
        64. 9.6.2.64 备用折返寄存器
          1. Table 62. 备用折返寄存器字段说明
        65. 9.6.2.65 SRAM 控制寄存器
          1. Table 63. SRAM 控制寄存器字段说明
        66. 9.6.2.66 SRAM 起始地址 (LSB) 寄存器
        67. 9.6.2.67 SRAM 起始地址 (MSB) 寄存器
          1. Table 64. SRAM 起始地址寄存器字段说明
  10. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 PoE 简介
        1. 10.1.1.1 2 线对与 4 线对功率比较以及新的 IEEE802.3bt 标准
      2. 10.1.2 SRAM 编程
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1 未用通道上的连接
        2. 10.2.2.2 电源引脚旁路电容器
        3. 10.2.2.3 每端口的组件
        4. 10.2.2.4 系统级组件(未在原理图中显示)
      3. 10.2.3 应用曲线
  11. 11电源建议
    1. 11.1 VDD
    2. 11.2 VPWR
  12. 12布局
    1. 12.1 布局指南
      1. 12.1.1 开尔文电流检测电阻器
    2. 12.2 布局示例
      1. 12.2.1 组件安置和布线准则
        1. 12.2.1.1 电源引脚旁路电容器
        2. 12.2.1.2 每端口的组件
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 文档支持
      1. 13.1.1 相关文档
    2. 13.2 接收文档更新通知
    3. 13.3 支持资源
    4. 13.4 商标
    5. 13.5 静电放电警告
    6. 13.6 Glossary
  14. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

SRAM 控制寄存器

命令 = 60h,带 1 个数据字节,读取/写入

Figure 114. SRAM 控制寄存器格式
7 6 5 4 3 2 1 0
PROG_SEL CPU_RST - PAR_EN RAM_EN PAR_SEL R/WZ CLR_PTR
R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0
说明:R/W = 读取/写入;R = 只读;-n = 复位后的值

Table 63. SRAM 控制寄存器字段说明

字段 类型 复位 说明
7 PROG_SEL R/W 0 I2C 编程选择位。

1 = 启用 SRAM I2C 读取/写入

0 = 禁用 SRAM I2C 读取/写入。

6 CPU_RST R/W 0 CPU 复位位

1 = 内部 CPU 保持在复位状态

0 = 内部 CPU 处于活动状态

严格来说,这是 CPU 复位。切换此位仅复位 CPU,不会更改 I2C 寄存器的任何内容

5 保留 R/W 0 保留
4 PAR_EN R/W 0 SRAM 奇偶校验使能位:

1 = 将会启用 SRAM 奇偶校验

0 = 将会禁用 SRAM 奇偶校验

建议使用 SRAM 时务必启用奇偶校验功能

3 RAM_EN R/W 0 SRAM 使能位

1 = 将会启用 SRAM,内部 CPU 将从 SRAM 和内部 ROM 运行

0 = 内部 CPU 仅从内部 ROM 运行

在 SRAM 编程之后,为了能够使用 SRAM 代码,该位需要设置为 1

2 PAR_SEL R/W 0 SRAM 奇偶校验选择位:将此位设置为 1 并与 RZ/W 位结合使用可支持访问 SRAM 奇偶校验位。

1 = 启用奇偶校验位读取/写入

0 = 禁用奇偶校验位读取/写入

1 R/WZ R/W 0 SRAM 读取/写入选择位:

0 = SRAM 写入 – 将 SRAM 数据写入 0x61h

1 = SRAM 读取 – 从 0x61h 读取 SRAM 数据

可通过 I2C 连续读取/写入 SRAM 数据,直到发送停止位为止。

0 CLR_PTR R/W 0 清除地址指针位:

1 = 复位存储器地址指针

0 = 释放指针以供使用

为了确保正确编程,应将该位切换 (0-1-0) 为写入或读取 SRAM 或奇偶校验存储器。

SRAM 编程:

加电时,TPS23880 器件将需要对 SRAM 进行编程。除了下列用于 SRAM 编程的命令之外的所有 I2C 流量都应推迟到以下 SRAM 编程序列完成之后。

NOTE

可以通过 TI mySecure 软件 网页下载最新版本的 TPS23880 SRAM 代码。

NOTE

必须在较低的 I2C 地址(通道 1-4)完成 SRAM 编程控制。对较高的 I2C 器件地址(通道 5-8)配置该寄存器不会对 SRAM 进行编程

NOTE

SRAM 编程需要从器件的初次加电(VPWR 和 VDD 高于 UVLO)后延迟至少 50ms,让器件完成其内部硬件初始化过程

用于 SRAM 编程的 0x60h 设置:在编程/写入 SRAM 之前,需要在寄存器 0x60h 中完成以下位序列:

7 6 5 4 3 2 1 0
PROG_SEL CPU_RST - PAR_EN RAM_EN PAR_SEL R/WZ CLR_PTR
0 → 1 0 → 1 0 0 0 0 1 → 0 0 → 1 → 0

读取 SRAM 需要相同的序列,但 R/WZ 位需要设置为“1”。

如果设备处于“安全模式”,则可以使用与上述相同的序列重新编程 SRAM。

在此序列之后通过 I2C 向 0x61h 写入内容会从寄存器 0x62h 和 63h 中设置的地址开始主动对 SRAM 程序存储器进行编程。

空白

用于 SRAM 奇偶校验编程的 0x60h 设置:在对 SRAM 程序存储器进行编程之后,为了配置器件以便对奇偶校验存储器进行编程,需要在寄存器 0x60h 中完成以下位序列:

7 6 5 4 3 2 1 0
PROG_SEL CPU_RST - PAR_EN RAM_EN PAR_SEL R/WZ CLR_PTR
0 → 1 0 → 1 0 0 0 0→1 1 → 0 0 → 1 → 0

读取奇偶校验需要相同的序列,但 R/WZ 位需要设置为“1”。

在此序列之后通过 I2C 向 0x61h 写入内容会从寄存器 0x62h 和 63h 中设置的地址开始主动对奇偶校验存储器进行编程。

从 SRAM 程序存储器运行的 0x60h 设置:完成编程后,为了让器件能够正常耗尽 SRAM,需要在寄存器 0x60h 中完成以下位序列:

7 6 5 4 3 2 1 0
PROG_SEL CPU_RST - PAR_EN RAM_EN PAR_SEL R/WZ CLR_PTR
1 → 0 1 → 0 0 0 → 1 0 → 1 1 → 0 0 0

在完成上述序列后的 1ms 内,器件将完成对 SRAM 的兼容性检查

如果确定 SRAM 加载“有效”:寄存器 0x41h 将具有 0x01h 和 0xFEh 之间的值,并且器件将恢复正常运行。

如果确定 SRAM 加载“无效”:

• 0x41h 将设置为 0xFFh

• 在内部将清除 RAM_EN 位

• 器件将以“安全模式”运行,直到完成另一次编程尝试

空白

空白