ZHCSI89C November   2017  – March 2024 TLV755P

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 6.3.2 Enable (EN)
      3. 6.3.3 Internal Foldback Current Limit
      4. 6.3.4 Thermal Shutdown
    4. 6.4 Device Functional Modes
      1. 6.4.1 Normal Operation
      2. 6.4.2 Dropout Operation
      3. 6.4.3 Disabled
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
      1. 7.1.1 Input and Output Capacitor Selection
      2. 7.1.2 Dropout Voltage
      3. 7.1.3 Exiting Dropout
      4. 7.1.4 Reverse Current
      5. 7.1.5 Power Dissipation (PD)
        1. 7.1.5.1 Estimating Junction Temperature
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Input Current
        2. 7.2.2.2 Thermal Dissipation
      3. 7.2.3 Application Curve
    3. 7.3 Power Supply Recommendations
    4. 7.4 Layout
      1. 7.4.1 Layout Guidelines
      2. 7.4.2 Layout Examples
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 Device Support
      1. 8.1.1 Device Nomenclature
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 Trademarks
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DYD|5
  • DBV|5
  • DQN|4
  • DRV|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TLV755P 是一款超小型低静态电流、低压差稳压器 (LDO)，可提供 500mA 拉电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。TLV755P 经过优化，可支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围，可适用于各种应用。为更大限度地缩减成本和解决方案尺寸，该器件可在 0.6V 至 5V 范围内提供固定输出电压，以支持现代微控制器 (MCU) 更低的内核电压。此外，TLV755P 具备带有使能功能的低 IQ，从而可将待机功耗降至最低。此器件具有内部软启动功能，旨在降低浪涌电流，因此可为负载提供受控电压并在启动过程中最大限度地降低输入电压压降。关断时，该器件可主动下拉输出以使输出快速放电并实现已知的启动状态。

TLV755P 在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时，可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV755P 具有内部折返电流限制，有助于在发生短路时减少热耗散。

TLV755 采用常见的 WSON、X2SON 和 SOT23-5（DRV、DQN 和 DBV）封装。该器件还提供带有散热焊盘的热增强型 SOT23-5 (DYD) 封装，与标准 SOT23-5 封装相比，热阻显著降低。

封装信息
器件型号封装(1)封装尺寸(2)
TLV755PDQN（X2SON，4）1mm × 1mm
DBV（SOT-23，5）2.9mm × 2.8mm
DYD（SOT-23，5）2.9mm × 2.8mm
DRV（WSON，6）2mm × 2mm
(1) 如需更多信息，请参阅机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。