ZHCSDR6 May   2015 TLV713P-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configurations and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 7.3.2 Shutdown
      3. 7.3.3 Foldback Current Limit
      4. 7.3.4 Thermal Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Normal Operation
      2. 7.4.2 Dropout Operation
      3. 7.4.3 Disabled
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Input and Output Capacitor Considerations
      2. 8.1.2 Dropout Voltage
      3. 8.1.3 Transient Response
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Do's and Don'ts
  9. 9 Power-Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Board Layout Recommendations to Improve PSRR and Noise Performance
    2. 10.2 Layout Example
    3. 10.3 Power Dissipation
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
        1. 11.1.1.1 评估模块
        2. 11.1.1.2 Spice 模型
      2. 11.1.2 器件命名规则
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 器件和文档支持

11.1 器件支持

11.1.1 开发支持

11.1.1.1 评估模块

有三个评估模块 (EVM) 可与 TLV713P-Q1 配套使用，帮助评估初始电路性能：

这些 EVM 预装有采用 DQN 封装的商业版器件，不过可以用于参数评估。 这些 EVM 可从德州仪器 (TI) 网站上的器件产品文件夹获取，也可直接从 TI 网上商店购买。

11.1.1.2 Spice 模型

分析模拟电路和系统的性能时，使用 SPICE 模型对电路性能进行计算机仿真非常有用。 您可以从产品文件夹中的工具和软件下获取 TLV713P-Q1 的 SPICE 模型。

11.1.2 器件命名规则

Table 4. 订购信息(1)(2)

产品 VOUT
TLV713PxxPQyyyzQ1 xx 为标称输出电压。 对于分辨率为 100mV 的输出电压，订货编号中使用两位数字（例如，28 = 2.8V）。
P 为可选项；P 表示器件具有一个带有源输出放电功能的 LDO 稳压器。
yyy 为封装标识符。
z 为封装数量。 R 表示卷（3000 片），T 表示带（250 片）。
(1) 要获得最新的封装和订货信息，请参见本文档末尾的封装选项附录，或者访问器件产品文件夹（www.ti.com）。
(2) 可提供 1.0V 至 3.3V 范围内的输出电压（以 50mV 为单位增量）。 更多详细信息及可用性，请联系制造商。

11.2 文档支持

11.2.1 相关文档

  • 《使用新的热指标》，SBVA025
  • 《TLV713xxEVM-171 用户指南》，SLVU771

11.3 社区资源

The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.

    TI E2E™ Online Community TI's Engineer-to-Engineer (E2E) Community. Created to foster collaboration among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help solve problems with fellow engineers.
    Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and contact information for technical support.

11.4 商标

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

11.5 静电放电警告

esds-image

ESD 可能会损坏该集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可能会损坏集成电路。

ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

11.6 术语表

SLYZ022 — TI 术语表。

这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。