ZHCSEE6 December   2015 TLV2333 , TLV333 , TLV4333

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 技术规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议的工作条件
    4. 7.4 热性能信息：TLV333
    5. 7.5 热性能信息：TLV2333
    6. 7.6 热性能信息：TLV4333
    7. 7.7 电气特性：VS = 1.8V 至 5.5V
    8. 7.8 典型特性
  8. 8 详细 说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能框图
    3. 8.3 特性 说明
      1. 8.3.1 工作电压
      2. 8.3.2 输入电压
      3. 8.3.3 内部失调校正
      4. 8.3.4 实现到运算放大器负轨的输出摆幅
      5. 8.3.5 输入差分电压
      6. 8.3.6 EMI 敏感性和输入滤波
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 系统示例
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局准则
      1. 11.1.1 通用布局准则
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 开发支持
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 相关链接
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|14
  • PW|14
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12 器件和文档支持

12.1 器件支持

12.1.1 开发支持

关于此产品的开发支持，请参阅以下内容：

  • 高侧 V-I 转换器，0V 至 2V，0mA 至 100mA，1% 满量程误差，TIPD102
  • 低电平 V-I 转换器参考设计，0V 至 5V 输入，0µA 至 5µA 输出，TIPD107
  • 18位、1MSPS、串行接口、微功耗、真正差动输入 SAR ADC，ADS8881
  • 超低功耗、高速、轨到轨输入/输出、电压反馈运算放大器，THS4281
  • 优化为最低失真、最低噪声、18 位、1MSPS 的数据采集参考设计，TIPD115
  • 自校准 16 位模数转换器，ADS1100
  • 最高 20ppm/℃、100µA、SOT23-3 系列电压基准，REF3130

12.2 文档支持

12.2.1 相关文档

相关文档如下：

  • 《QFN/SON PCB 连接》，SLUA271
  • 《四方扁平无引线逻辑器件封装》，SCBA017

12.3 相关链接

Table 1 列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持与社区资源、工具和软件，以及申请样片或购买产品的快速链接。

Table 1. 相关链接

器件 产品文件夹 样片与购买 技术文档 工具和软件 支持和社区
TLV333 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处
TLV2333 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处
TLV4333 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处

12.4 社区资源

下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。

    TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在 e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
    设计支持 TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。

12.5 商标

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

12.6 静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

12.7 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.