设计人员常常会问到有关运算放大器承受电气过应力 (EOS) 的能力的问题。这些问题的重点在于器件输入，但同时也会涉及电源引脚甚至是输出引脚。这些不同引脚功能的每一个功能具有由独特的半导体制造工艺和连接到引脚的特定电路确定的电气过载限值。此外，这些电路均内置内部静电放电 (ESD) 保护功能，可在产品组装之前和组装过程中保护电路不受意外 ESD 事件的影响。

能够充分了解该基本 ESD 电路及其与电气过应力事件的关联性会有所帮助。图 6-4 显示了 OPAx994-Q1 中包含的 ESD 电路（用虚线区域指示）。ESD 保护电路涉及从输入和输出引脚连接并路由回内部供电线路的数个导流二极管，其中二极管在吸收器件或电源 ESD 单元（运算放大器的内在部分）处相接。该保护电路在电路正常工作时处于未运行状态。

图 6-4 与典型电路应用相关的等效内部 ESD 电路

ESD 事件可产生短时高电压脉冲，随后在通过半导体器件放电时转换为短时高电流脉冲。ESD 保护电路设计在运算放大器核心周围，旨在为其提供电流路径，以防止造成损坏。保护电路吸收的能量将以热量形式耗散。

当两个或更多个放大器器件终端上产生 ESD 电压时，电流将流经一个或多个导流二极管。根据电流所选路径，吸收器件可能会激活。吸收器件具有触发或阈值电压，该电压高于 OPAx994-Q1 的正常工作电压，但低于器件击穿电压电平。超出该阈值后，吸收器件会迅速激活并将电源轨两端电压稳定在安全水平。

当运算放大器接入某个电路（如图 6-4 中所示）时，ESD 保护组件将保持未激活状态并且不会介入应用电路的运行。不过，如果施加的电压超出指定终端的工作电压范围，可能会引起一些问题。如果出现这种情况，部分内部 ESD 保护电路可能处于导通状态并传导电流。此类电流将流经驱动二极管路径，但很少涉及吸收器件。

图 6-4 给出了一个具体示例，其中输入电压 V_IN 高于正电源电压 (+V_S) 500mV 甚至更多。电路中将发生的具体情况取决于电源特性。如果 +V_S 能够吸收电流，那么上面的一个输入钳位二极管就会导通，并将电流传导至 +V_S。越来越高的 V_IN 会带来过高的电流。因此，数据表规范建议将应用的输入电流限制为 10mA。

如果电源无法吸收电流，V_IN 会开始将电流拉至运算放大器，然后作为正电源电压源进行接管。这种情况比较危险，因为该电压可能会超出运算放大器的绝对最大额定值。

另一个常见问题是，如果在电源 +V_S 或 –V_S 为 0V 时向输入端施加输入信号，放大器如何响应。同样，具体结果取决于电源在 0V 或低于输入信号幅值时的特性。如果电源呈现高阻抗状态，输入源通过电流驱动二极管提供运算放大器电流。但该状态并非正常偏置条件，放大器极有可能无法正常工作。如果电源表现为低阻态，则通过钳位二极管的电流将变得非常大。电流水平取决于输入源的供电能力以及输入路径中的所有电阻。

如果不确定电源对该电流的吸收能力，可在电源终端处外接齐纳二极管；请参阅图 6-4。选择齐纳电压可确保二极管不会在正常运行过程中导通。不过，齐纳电压必须足够低，以便齐纳二极管在电源终端电压上升至超过安全工作电源电压水平时导通。

OPAx994-Q1 输入端子由背对背二极管提供保护，不会因差分电压过大而受损；请参阅图 6-4。在多数电路应用中，输入保护电路并不产生实际影响。但在低增益或 G = 1 的电路中，快速斜升的输入信号会导致这些二极管发生正向偏置。原因是放大器输出对于这种输入斜升变化的响应速度较慢。如果输入信号的变化速度足以实现上述正向偏置，则输入信号电流应限制在 10mA 或更低。如果未对输入信号电流进行限定，可使用输入串联电阻限制输入信号电流。该输入串联电阻会降低 OPAx994-Q1 的低噪声性能。图 6-4 显示了实现限流反馈电阻器的示例配置。