ZHCSMI0E September   2020  – November 2022 DP83TG720S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
    2. 5.1 引脚状态
    3. 5.2 引脚电源域
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 LED 驱动特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 诊断工具套件
        1. 7.3.1.1 信号质量指示器
        2. 7.3.1.2 时域反射计
        3. 7.3.1.3 数据路径内置自检
          1. 7.3.1.3.1 环回模式
          2. 7.3.1.3.2 数据生成器
          3. 7.3.1.3.3 编程数据路径 BIST
        4. 7.3.1.4 温度和电压检测
        5. 7.3.1.5 静电放电检测
      2. 7.3.2 合规性测试模式
        1. 7.3.2.1 测试模式 1
        2. 7.3.2.2 测试模式 2
        3. 7.3.2.3 测试模式 4
        4. 7.3.2.4 测试模式 5
        5. 7.3.2.5 测试模式 6
        6. 7.3.2.6 测试模式 7
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  断电
      2. 7.4.2  复位
      3. 7.4.3  待机
      4. 7.4.4  正常
      5. 7.4.5  睡眠
      6. 7.4.6  状态转换
        1. 7.4.6.1 状态转换 #1 - 待机到正常
        2. 7.4.6.2 状态转换 #2 - 正常到待机
        3. 7.4.6.3 状态转换 #3 - 正常到睡眠
        4. 7.4.6.4 状态转换 #4 - 睡眠到正常
      7. 7.4.7  媒体相关接口
        1. 7.4.7.1 MDI 主模式和 MDI 从模式配置
        2. 7.4.7.2 自动极性检测和校正
      8. 7.4.8  MAC 接口
        1. 7.4.8.1 简化千兆位媒体独立接口
        2. 7.4.8.2 串行千兆位媒体独立接口
      9. 7.4.9  串行管理接口
      10. 7.4.10 直接寄存器访问
      11. 7.4.11 扩展寄存器空间访问
      12. 7.4.12 写入地址操作
        1. 7.4.12.1 示例 - 写入地址操作
      13. 7.4.13 读取地址操作
        1. 7.4.13.1 示例 - 读取地址操作
      14. 7.4.14 写入操作（无后增量）
        1. 7.4.14.1 示例 - 写入操作（无后增量）
      15. 7.4.15 读取操作（无后增量）
        1. 7.4.15.1 示例 - 读取操作（无后增量）
      16. 7.4.16 写入操作（有后增量）
        1. 7.4.16.1 示例 - 写入操作（有后增量）
      17. 7.4.17 读取操作（有后增量）
        1. 7.4.17.1 示例 - 读取操作（有后增量）
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 搭接配置
      2. 7.5.2 LED 配置
      3. 7.5.3 PHY 地址配置
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 寄存器访问汇总
      2. 7.6.2 DP83TG720 Registers
        1. 7.6.2.1 基址寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
  9. 9 电源相关建议
  10. 10与 TI 的 100BT1 PHY 兼容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 信号布线
      2. 11.1.2 返回路径
      3. 11.1.3 物理媒体连接
      4. 11.1.4 金属浇注
      5. 11.1.5 PCB 层堆叠
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 封装选项附录
      1. 13.1.1 封装信息
      2. 13.1.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
DC 特性
XI
VIH 高电平输入电压 1.3 V
VIL 低电平输入电压 0.5 V
WAKE 引脚 WAKE 引脚 WAKE 引脚 WAKE 引脚 WAKE 引脚 WAKE 引脚 WAKE 引脚
VIH 高电平输入电压 VSLEEP = 3.3V ± 10% 2 V
VIL 低电平输入电压 VSLEEP = 3.3V ± 10% 0.8 V
INH 引脚 INH 引脚 INH 引脚 INH 引脚 INH 引脚 INH 引脚 INH 引脚
VOH 高电平输出电压 IOH = -2mA，VSLEEP = 3.3V ± 10% 2.4 V
3.3V VDDIO (2)
VOH 高电平输出电压 IOH = -2mA，VDDIO = 3.3V ± 10% 2.4 V
VOL 低电平输出电压 IOL = 2mA，VDDIO = 3.3V ± 10% 0.4 V
VIH 高电平输入电压 VDDIO = 3.3V ± 10% 2 V
VIL 低电平输入电压 VDDIO = 3.3V ± 10% 0.8 V
2.5V VDDIO (2)
VOH 高电平输出电压 IOH = -2mA，VDDIO = 2.5V ± 10% 2 V
VOL 低电平输出电压 IOL = 2mA，VDDIO = 2.5V ± 10% 0.4 V
VIH 高电平输入电压 VDDIO = 2.5V ± 10% 1.7 V
VIL 低电平输入电压 VDDIO = 2.5V ± 10% 0.7 V
1.8V VDDIO (2)
VOH 高电平输出电压 IOH = -2mA，VDDIO = 1.8V ± 10% VDDIO – 0.45 V
VOL 低电平输出电压 IOL = 2mA，VDDIO = 1.8V ± 10% 0.45 V
VIH 高电平输入电压 VDDIO = 1.8V ± 10% 0.7 * VDDIO V
VIL 低电平输入电压 VDDIO = 1.8V ± 10% 0.3 * VDDIO V
IIH 高输入电流 (MDIO) VIN = VCC，-40°C 至 125°C -5 5 µA
IIH 输入高电流（RGMII 输入引脚、MDC） VIN = VCC，-40°C 至 125°C -20 20 µA
IOZ 高输入电流 (MDIO) VIN 从 0V 扫描至 VCC，-40°C 至 125°C -40 40 µA
IIL 输入低电流（RGMII 输入引脚、MDC、MDIO） VIN = GND，-40°C 至 125°C -40 5 µA
IOZL INH 6 µA
IOZ 三态输出电流 (5) VIN 从 0V 扫描至 VCC，-40°C 至 125°C -40 10 µA
IOZ 三态输出电流 (6) VIN 从 0V 扫描至 VCC，-40°C 至 125°C -60 60 µA
CIN 输入电容 LVCMOS/LVTTL 引脚 (3) 2 pF
CIN 输入电容 LVCMOS/LVTTL 引脚 (4) 4 pF
XI 1 pF
COUT 输出电容 LVCMOS/LVTTL 引脚 (3) 2 pF
COUT 输出电容 LVCMOS/LVTTL 引脚 (4) 4 pF
XO 1 pF
Rpull-up 集成上拉电阻 INT、RESET 6.5 9 12.5 kΩ
Rpull-down 集成下拉电阻 STRP_1、RX_CTRL 4.725 6.3 7.875 kΩ
Rpull-down 集成下拉电阻 LED_1、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0 7.3 9 13 kΩ
WAKE 35 50 62.5 kΩ
Rpull-down 激活时的集成上拉电阻 INH 106 Ω
Rseries 集成 MAC 串联终端电阻器（默认） RX_D[3:0]、RX_CTRL 和 RX_CLK 24 42 52 Ω
Rseries 集成 MAC 串联终端电阻器（寄存器 <0x0456> = 0x0148） RX_D[3:0]、RX_CTRL 和 RX_CLK 30 52 65 Ω
Rseries 集成 MAC 串联终端电阻器（寄存器 <0x0456> = 0x0168） RX_D[3:0]、RX_CTRL 和 RX_CLK 40 70 84 Ω
电流消耗，睡眠模式
ISLEEP 睡眠电源电流 VSLEEP 485 840 µA
电流消耗，复位置位
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 1.8V VDDIO 4 9 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 2.5V VDDIO 5 12 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 3.3V VDDIO 6.5 15 mA
IDDA3P3 内核电源电流，3.3V VDDA3P3 5 8 mA
IDD1P0 内核电源电流，1.0V VDD1P0 30 110 mA
电流消耗，待机
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 1.8V VDDIO 4 11 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 2.5V VDDIO 6 13 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 3.3V VDDIO 8 15 mA
IDDA3P3 内核电源电流，3.3V VDDA3P3 16 18 mA
IDD1P0 内核电源电流，1.0V VDD1P0 33 112 mA
电流消耗，工作模式，电压：+/- 10%，流量：100%，数据包大小：1518，内容：随机
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 1.8V RGMII 20 25 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 2.5V RGMII 26 30 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 3.3V RGMII 33 40 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 1.8V SGMII 3.5 5 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 2.5V SGMII 5 7 mA
IDDIO IO 电源电流，VDDIO = 3.3V SGMII 6.5 8 mA
IDDA3P3 内核电源电流，3.3V RGMII 85 89 mA
IDD1P0 内核电源电流，1.0V RGMII 177 250 mA
IDDA3P3 内核电源电流，3.3V  SGMII 95 100 mA
IDD1P0 内核电源电流，1.0V SGMII 200 260 mA
ISLEEP 睡眠电源电流 VSLEEP = 3.3V +/- 10%  1000 1500 µA
MDI 特性
VOD-MDI 输出差分电压 RL(diff) = 100Ω 1.3 V
RMDI-DIFF 集成差分 MDI 终端（激活状态） TRD_P、TRD_M 100 Ω
RMDI-DIFF 集成差分 MDI 终端（睡眠状态） TRD_P、TRD_M 100 Ω
SGMII 驱动器直流规格
VOD-SGMII 输出差分电压 RL(diff) = 100Ω 150 400 mV
ROUT-DIFF 集成差分输出终端 RX_P、RX_M 78 100 130 Ω
SGMII 接收器直流规格
VIDTH 输入差分阈值 100 mV
RIN-DIFF 集成差分输入终端 TX_P、TX_M 82 100 121 Ω
自举直流特性
2 级搭接
Vbsl_1v8 自举阈值 模式 1，VDDIO = 1.8V ± 10%，2 级  0 0.35*VDDIO V
Vbsh_1v8 自举阈值 模式 2，VDDIO = 1.8V ± 10%，2 级  1.175 VDDIO V
Vbsl_2v5 自举阈值 模式 1，VDDIO = 2.5V ± 10%，2 级 0 0.7 V
Vbsh_2v5 自举阈值 模式 2，VDDIO = 2.5V ± 10%，2 级 1.175 VDDIO V
Vbsl_3v3 自举阈值 模式 1，VDDIO = 3.3V ± 10%，2 级 0 0.7 V
Vbsh_3v3 自举阈值 模式 2，VDDIO = 3.3V ± 10%，2 级 1.175 VDDIO V
3 级搭接
Vbs1_1V8 自举阈值 模式 1，VDDIO = 1.8V ± 10%，3 级 0 0.35 * VDDIO V
Vbs2_1V8 自举阈值 模式 2，VDDIO = 1.8V ± 10%，3 级 0.40 * VDDIO 0.75 * VDDIO V
Vbs3_1V8 自举阈值 模式 3，VDDIO = 1.8V ± 10%，3 级 0.84 * VDDIO VDDIO V
Vbs1_2V5 自举阈值 模式 1，VDDIO = 2.5V ± 10%，3 级 0 0.19 * VDDIO V
Vbs2_2V5 自举阈值 模式 2，VDDIO = 2.5V ± 10%，3 级 0.27 * VDDIO 0.41 * VDDIO V
Vbs3_2V5 自举阈值 模式 3，VDDIO = 2.5V ± 10%，3 级 0.58 * VDDIO VDDIO V
Vbs1_3V3 自举阈值 模式 1，VDDIO = 3.3V ± 10%，3 级 0 0.18 * VDDIO V
Vbs2_3V3 自举阈值 模式 2，VDDIO = 3.3V ± 10%，3 级 0.22 * VDDIO 0.42 * VDDIO V
Vbs3_3V3 自举阈值 模式 3，VDDIO = 3.3V ± 10%，3 级 0.46 * VDDIO VDDIO V
温度传感器
温度传感器分辨率 (LSB) -40℃ 至 125℃ 1.5 ℃
温度传感器精度（单个器件的电压和温度变化） –40℃ 至 125℃ -7.5 7.5 ℃
温度传感器精度（器件间的电压和温度变化）  –40℃ 至 125℃ -21.5 20 ℃
温度传感器范围 -40 140 ℃
电压传感器
VDDA3P3 传感器范围 2.66 3.3 3.96 V
VDDA3P3 传感器分辨率 (LSB) –40℃ 至 125℃ 8.6 mV
VDDA3P3 传感器精度（电压和温度变化） –40℃ 至 125℃ 8.6 mV
VDDA3P3 传感器精度（器件间） –40℃ 至 125℃ -68.8 68.8 mV
VDD1P0 传感器范围 0.8 1.2 V
VDD1P0 传感器分辨率 (LSB) –40℃ 至 125℃ 2.8 mV
VDD1P0 传感器精度（电压和温度变化） –40℃ 至 125℃ 2.8 mV
VDD1P0 传感器精度（器件间） –40℃ 至 125℃ -22.4 22.4 mV
VDDIO 传感器范围 1.44 3.8 V
VDDIO 传感器分辨率 (LSB) –40℃ 至 125℃ 15.4 mV
VDDIO 传感器精度（电压和温度变化） –40℃ 至 125℃ 15.4 mV
VDDIO 传感器精度（器件间） –40℃ 至 125℃ -78 78 mV
(1) 由生产测试、特性或设计确保
(2) 适用于引脚：LED_1、STRP_1、RX_CTRL、CLKOUT、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0
(3) 适用于引脚：MDC、INT、RESET、LED_1、STRP_1、RX_CTRL、CLKOUT、RX_D0、RX_D1、RX_CLK、TX_CLK、TX_CTRL、TX_D2、TX_D3、LED_0 和 MDIO
(4) 适用于引脚：TX_D0、TX_D1、RX_D2 和 RX_D3
(5) 适用于引脚：LED_1、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0
(6) 适用于引脚：STRP_1 和 RX_CTRL