ZHCSGW6B October 2017 – October 2021 CSD25501F3
PRODUCTION DATA
3 说明
此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 总栅极电荷 (–4.5V) | 1.02 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.09 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 导通电阻 |
VGS = –1.8V | 120 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 86 | |||
| VGS = –4.5V | 64 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.75 | V | |
器件信息
| 器件(1) | 数量 | 包装介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25501F3 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto 0.73mm × 0.64mm 基板栅格阵列 (LGA) |
卷带 包装 |
| CSD25501F3T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C（除非另外注明） | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | -20 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | –3.6 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(1)(2) | –13.6 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体放电模式 (HBM) | 4000 | V |
| 组件充电模式 (CDM) | 2000 | ||
| TJ、 Tstg |
运行结温、 贮存温度 |
–55 至 150 | °C |
(1) 安装在覆铜区域极小的 FR4 材料上时的典型 RθJA = 255°C/W。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
典型部件尺寸
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