ZHCSBO3F October   2013  – January 2022 CSD25483F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 术语表
  7. 7Mechanical Data
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern
    4. 7.4 CSD25483F4 Embossed Carrier Tape Dimensions

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJC|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

此 210mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

典型器件尺寸

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 -20 V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V) 959 pC
Qgd 栅极电荷（栅漏极） 161 pC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = -1.8V 530 mΩ
VGS = -2.5V 338 mΩ
VGS = -4.5V 210 mΩ
VGS(th) 阈值电压 -0.95 V

订购信息(1)
器件数量介质封装配送
CSD25483F430007 英寸卷带Femto (0402)
1.0mm × 0.6mm
基板栅格阵列 (LGA)		卷带包装
CSD25483F4T250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 -20 V
VGS 栅源电压 –12 V
ID 持续漏极电流(1) -1.6 A
IDM 脉冲漏极电流(2) -6.5 A
IG 持续栅极钳位电流 -35 mA
脉冲栅极钳位电流(2) -350
PD 功率耗散(1) 500 mW
V(ESD) 人体放电模型 (HBM) 4 kV
充电器件模型 (CDM) 2 kV
TJ、
Tstg		 运行结温和
贮存温度范围		 -55 至 150 °C
(1) RθJA = 85°C/W（0.06 英寸 (1.52mm) 厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸 (6.45cm2) 2oz.
(0.071mm) 厚的铜焊盘上的典型值）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300 μs，占空比 ≤ 2%
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