ZHCS764B February 2012 – September 2022 CSD25211W1015
PRODUCTION DATA
3 说明
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
图 3-1 顶视图产品概要
| TA = 25°C 时测得，除非另外注明 | 典型值 | 单位 | ||
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 3.4 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 0.2 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -2.5V | 36 | mΩ |
| VGS = -4.5V | 27 | mΩ | ||
| VGS(th) | 电压阈值 | -0.8 | V | |
订购信息
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25211W1015 | 1 × 1.5 晶圆级封装 | 7 英寸卷带 | 3000 | 卷带包装 |
绝对最大额定值
| TA = 25°C 时测得，除非另外注明 | 值 | 单位 | |
| VDS | 漏源电压 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | -6 | V |
| ID | 持续漏极电流，TA = 25°C(1) | -3.2 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) | -9.5 | A |
| IG | 持续栅极电流，TA = 25°C | -0.5 | A |
| 脉冲栅极电流 | -7 | A | |
| PD | 功率耗散(1) | 1 | W |
| TSTG | 储存温度范围 | -55 至 150 | °C |
| TJ | 工作结温范围 | ||
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上采用 1 平方英寸、2 盎司铜焊盘时的 RθJA 典型值为 119°C/W
(2) 脉宽 ≤ 10μs，占空比 ≤ 2%
RDS(ON)与 VGS 间的关系
栅极电荷