ZHCSCO2E May 2014 – January 2022 CSD23382F4
PRODUCTION DATA
此 66mΩ、12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | –12 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 1.04 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅漏极） | 0.15 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -1.8V | 149 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 90 | |||
| VGS = -4.5V | 66 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.8 | V | |
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23382F4 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 基板栅格阵列 (LGA) | 卷带包装 |
| CSD23382F4T | 250 | 7 英寸卷带 |
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | –12 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±8 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | –3.5 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) | –22 | A |
| IG | 持续栅极钳位电流 | -35 | mA |
| 脉冲栅极钳位电流(2) | -350 | ||
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体放电模型 (HBM) | 2 | kV |
| 充电器件模型 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg | 运行结温和 贮存温度范围 | -55 至 150 | °C |