ZHCSFX7B November   2016  – November 2022 CSD18510KTT

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 支持资源
    3. 6.3 Trademarks
    4. 6.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 6.5 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 KTT Package Dimensions
    2. 7.2 Recommended PCB Pattern
    3. 7.3 Recommended Stencil Opening (0.125 mm Stencil Thickness)

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KTT|2
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

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产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 40 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 119 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 21 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 2.0 mΩ
VGS = 10V 1.4
VGS(th) 阈值电压 1.7 V
器件信息(1)
器件数量介质封装配送
CSD18510KTT50013 英寸卷带D2PAK
塑料封装		卷带包装
CSD18510KTTT50
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压40V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流（受封装限制）200A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得274
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C 时测得193
IDM脉冲漏极电流(1)400A
PD功率耗散250W
TJ、
Tstg		工作结温、
贮存温度		-55 至 175°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 81A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		328mJ
(1) 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
GUID-5C21E949-D7A2-4412-9971-67CD7FDB678D-low.gifRDS(on) 与 VGS 之间的关系
GUID-AB9BC7D3-B627-404F-AF33-22802BFB7957-low.gif栅极电荷