ZHCS976C June   2012  – June 2015 CSD18503Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 术语表
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Changes from B Revision (November 2012) to C Revision

  • Added 部件编号至标题Go
  • 在订购信息表中添加了 7 英寸卷带Go
  • 已更新持续漏极电流Go
  • 已更新脉冲漏极电流Go
  • 已更新脉冲电流条件 Go
  • Updated Max RθJCGo
  • Updated Figure 1Go
  • Updated SOA in Figure 10Go
  • Updated Figure 12Go
  • 已添加社区资源Go
  • 已更新封装尺寸 Go
  • Added 建议模板开口Go

Changes from A Revision (October 2012) to B Revision

  • Added 外壳温度保持在 25°C 时的最大功耗一行Go
  • 已更改 RDS(on) 与 VGS 的关系曲线图以及栅极充电曲线图 Go
  • Changed Max RθJA = 121°C/W To: Max RθJA = 125°C/WGo
  • Changed the Typical MOSFET Characteristics sectionGo

Changes from * Revision (June 2012) to A Revision

  • Changed the Transconductance TYP value From: 127 S To: 100 SGo
  • Changed the Turn On and Turn Off Delay Time, Rise andFall Time Test Conditions From: IDS = 22 A, RG = 2 Ω To: IDS = 22 A, RG = 0 ΩGo
  • Changed the Qrr Reverse Recovery Charge TYP value From: 22 nC To: 52 nCGo