功率密度
在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能
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借助哪些技术可实现更高的功率密度？
随着功率需求的增加，电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多的电路，才能实现产品的差异化，并提高效率和增强热性能。通过采用 TI 的先进工艺、封装和电路设计技术，目前能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。
TI 高功率密度技术的优势
尺寸更小，散热更少
通过结合独特集成技术和超低 RDSON、低 RSP FET 的高性能器件选项节省布板空间，从而实现更小的裸片尺寸。
热性能更出色
利用先进的散热技术（包括增强型 HotRod™ QFN 封装、电源 Wafer Chip-Scale Packaging (WCSP) 和顶部散热），帮助封装体散热。
效率更高
借助多级转换器拓扑和先进的功率级栅极驱动器，使用较小的无源器件实现较高的开关频率，同时又不影响效率。
克服散热挑战的三种方法
无论是电路设计，还是封装研发、热优化系统设计等，TI 都是您攻克功率密度难题的理想合作伙伴。详细了解我们实现更小、更高性能 IC 的多方面方法。
特色高功率密度产品
特色高功率密度参考设计
Reference design
基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计
PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 的双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和带有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 采用频率和相位调制在所需的调节范围内调节输出。该设计采用 TMS320F28388D 微控制器内的单个处理内核来控制 PFC 和 CLLLC。使用配有 Rogowski 线圈电流传感器的相同微控制器来实现同步整流。通过高速 GaN 开关 (LMG3522) 实现高密度。PFC 的工作频率为 120kHz，而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可变频率范围内运行。峰值系统效率为 96.5%，该数值在 3.8kW/L (...)
Reference design
适用于 2 至 4 节电池的集成 USB Type-C® 电力输送 (PD) 和充电参考设计
在无需任何外部 FET 的情况下，此参考设计可提供高达 20V 的充电电压（电流为 5A），从而显著缩小解决方案尺寸并降低总 BOM 成本。同时，也不需要微处理器，因为 TPS25750 电力输送 (PD) 控制器将负责与 BQ25792 电池充电器 IC 的 I2C 通信。此 I2C 的功能以及 TPS25750 基于网络的 GUI 显著简化了固件开发过程。
Reference design
变频、ZVS、5kW、基于 GaN 的两相图腾柱 PFC 参考设计
该参考设计为高密度高效 5kW 图腾柱功率因数校正 (PFC) 设计。设计采用两相图腾柱 PFC，能在可变频率和零电压开关 (ZVS) 条件下运行。控制器采用新拓扑和改进型三角电流模式 (iTCM)，能够减小尺寸并提高效率。设计方案为在 TMS320F280049C 微控制器内使用高性能处理内核，可在广泛的工作范围内保证效率。PFC 的运行频率范围为 100kHz 至 800kHz。峰值系统效率为 99%，该数值在 120W/in3 开放式框架功率密度下实现。