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設計與開發

LMG3411EVM-018

具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R050 600-V 50mΩ GaN

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LMG3411EVM-018

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LMG3411EVM-018 於半橋配置兩個 LMG3411R050 GaN FET，具備逐週期過電流防護和所有必要輔助週邊設備電路。  此 EVM 設計旨在與較大的系統配合使用。

特點
  • 輸入電壓運作最多 600V
  • 簡易的開迴路設計可評估 LMG3411R050 的性能
  • 板載單 PWM 輸入，具 50 ns 失效時間，可用於 PWM 訊號
  • 逐週期過電流防護功能
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針，提供方便的邏輯和功率級測量探針點
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN
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Evaluating LMG3411R050 GaN FET power stage

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子卡

LMG3411EVM-018 — 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R050 600-V 50mΩ GaN

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為什麼我需要此項? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG34XX-BB-EVM — 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板
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為什麼我需要此項? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半橋子板 LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN 半橋子板 LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN 半橋子板 LMG3411EVM-018 — 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R050 600-V 50mΩ GaN LMG3411EVM-029 — 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN LMG3411EVM-031 — 具有逐週期過電流保護半橋子卡的 LMG3411R150 600-V 150-mΩ GaN
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* EVM User's guide Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019/3/8
證書 LMG3411EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/3/12

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