DRV8106H-Q1EVM

具有寬共模電流感測放大器的車用半橋智慧型閘極驅動器評估模組

DRV8106H-Q1EVM

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DRV8106H-Q1EVM 設計旨在評估 DRV8106H-Q1,是一款符合車用資格的整合式有刷 DC 馬達驅動器。DRV8106H-Q1 是一款高度整合的全橋閘極驅動器,可驅動高壓側和低壓側 N 通道電源 MOSFET。其在高壓側使用整合式倍頻充電泵,並在低壓側採用線性穩壓器,以產生適當閘極驅動電壓。

此裝置採用智慧閘極驅動器架構,可降低系統成本並提升可靠性。閘極驅動器將失效時間最佳化以避免擊穿情況,其透過可調式閘極驅動電流提供控制以減少電磁干擾 (EMI),並利用 VDS 和 VGS 監控器防止汲極至來源和閘極短路狀況。廣泛共模分流放大器提供內嵌電流感測以持續測量馬達電流。

DRV8106H-Q1 提供一系列防護功能,以確保系統運作穩固。其中包括對電源供應和充電幫浦的欠電壓和過電壓監控、外部 MOSFET 的 VDS 過電流與 VGS 閘極故障監控器,以及內部熱警告與關機保護。

DRV8106H-Q1EVM 具備由兩個 N 通道 MOSFET 組成的全橋,可在最高 15-A RMS、20-A 峰值電流進行雙向馬達驅動。若為類比電源,EVM 會從單一電源供電運作,若為數位電源則採用 USB 線路,可進行自訂以為外部供電。提供負 18 V 反向電池保護電路和 20 A RMS 額定 PI 濾波器,以清潔電源輸入並防止不正確的電池連接。

特點
  • 4.5-V 至 33-V 運作電壓範圍
  • 高達 2.5-A 峰值電流
  • 簡易 STEP/DIR 輸入介面
  • 整合式電流感測和微型步進索引器
  • 智慧調諧技術

  • Micro-USB 傳輸線

MOSFET
CSD18512Q5B 40-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 5 mm x 6 mm、1.6 mOhm

 

MSP430 microcontrollers
MSP430F2617 具 92KB 快閃記憶體、8KB SRAM、12 位元 ADC、雙 12 位元 DAC、I2C/SPI/UART、HW 倍頻器、DMA 的 16 MHz MCU

 

有刷 DC (BDC) 馬達驅動器
DRV8106-Q1 具有離線診斷功能和內嵌電流感測放大器的車用 40V、半橋智慧閘極驅動器

 

線性與低壓差 (LDO) 穩壓器
TPS7B69 150-mA、40-V、低 IQ 低壓降電壓穩壓器
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DRV8106H-Q1EVM — Automotive half-bridge smart gate driver evaluation module with wide common mode current sense amp

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DRV8106H-Q1EVM Automotive half-bridge smart gate driver evaluation module with wide common mode current sense amp

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適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

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* EVM User's guide DRV87xx-Q1EVM and DRV8106-Q1EVM User’s Guide (Rev. A) 2021/3/12
使用指南 DRV87xx-Q1EVM & DRV8106-Q1EVM GUI User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2019/10/30
證書 DRV8106H-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2019/7/30

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