PMP21309

Referenzdesign für 24-V/500-W-Resonanzwandler mit HV GaN FET

PMP21309

Designdateien

Überblick

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um ein Referenzdesign für einen Hochfrequenz-Resonanzwandler. Die Ausgangsspannung wird über einen Resonanzkreis mit 500 kHz Resonanzfrequenz auf 24 V mit Eingangsspannungsbereichen von 380 V bis 400 V geregelt. Dieses Design erzielt einen Spitzenwirkungsgrad von 97,9 % durch den Hochspannungs-GaN-Baustein LMG3410R070 von TI in Verbindung mit UCD3138A und UCD7138 zur Optimierung der Totzeit und der Synchrongleichrichter (Synchronous Rectifier, SR)-Leitung.

Merkmale
  • 500 kHz Resonanzfrequenz
  • Umwandlung von 390 V in 24 V / 500 W
  • 97,9 % Wirkungsgrad bei 390-V-Eingängen
  • Leistungsstufe X Y-Abmessung 1,9" x 3"
Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten PMP21309.1
Vin (Min) (V) 380
Vin (Max) (V) 400
Vout (Nom) (V) 24
Iout (Max) (A) 21
Ausgangsleistung (W) 504
Isoliert/Nicht isoliert Isolated
Eingabetyp DC
Topologie Half Bridge- LLC
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Designdateien und Produkte

Designdateien

Laden Sie sich sofort einsetzbare Systemdateien herunter, um Ihren Designprozess zu beschleunigen.

TIDT033.PDF (2775 KB)

Testergebnisse für das Referenzdesign, mit Wirkungsgraddiagrammen, Testvoraussetzungen und mehr.

TIDRXJ5.ZIP (150 KB)

Detaillierter Überblick über das Design-Layout zur Bestimmung der Position der Komponenten

TIDRXJ4.ZIP (206 KB)

Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern

TIDRXJ8.ZIP (2232 KB)

Dateien für 3D-Modelle oder 2D-Zeichnungen von IC-Komponenten

TIDCEZ7.ZIP (2711 KB)

Designdatei mit Informationen zur physikalischen Platinenschicht der Design-Platine

TIDRXJ7.ZIP (1175 KB)

Leiterplattenschicht-Plotdatei zur Erstellung des Design-Layouts der Leiterplatte

TIDRXJ2.ZIP (252 KB)

Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten

Produkte

Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.

Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3411R070GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz

Datenblatt: PDF | HTML
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3410R070GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz

Datenblatt: PDF | HTML
Präzisionsoperationsverstärker (Vos < 1 mV)

OPA376Präziser Operationsverstärker (0,025 mV), rauscharm (7,5 nV/rtHz), niedriger Ruhestrom (760 uA)

Datenblatt: PDF | HTML
Linear- und Low-Dropout-Regler (LDO)

LP3985Low-Dropout-Spannungsregler, 150 mA, mit Bypass und Aktivierung

Datenblatt: PDF | HTML
AC/DC-Controller

UCD7138Einkanaliger synchroner Gleichrichtertreiber mit Body-Diode-Leitungserfassung

Datenblatt: PDF | HTML
AC/DC-Controller

UCD3138AUCD3138A hochintegrierter digitaler Controller für isolierte Stromversorgung

Datenblatt: PDF | HTML
Analoge Temperatursensoren

LM20Temperatursensor mit Analogausgang (±1,5°C Abweichung)

Datenblatt: PDF | HTML
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3411R050GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz

Datenblatt: PDF | HTML

Entwicklung starten

Hardware-Entwicklung

Tochterkarte

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um ein Referenzdesign für einen Hochfrequenz-Resonanzwandler. Die Ausgangsspannung wird über einen Resonanzkreis mit 500 kHz Resonanzfrequenz auf 24 V mit Eingangsspannungsbereichen von 380 V bis 400 V geregelt. Dieses Design erzielt einen (...)
EVM-Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Hardware-Entwicklung
Referenzdesign
PMP20873 99 % effizienter 1-kW-GaN-basierter CCM Totem-Pol-Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Wandler – Referenzd PMP20978 Referenzdesign für Resonanzwandler mit hohem Wirkungsgrad und Leistungsdichte für 1 kW mit Hochspann PMP21309 Referenzdesign für 24-V/500-W-Resonanzwandler mit HV GaN FET PMP41006 1-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus-LLC umgesetzt durch C2000™ and GaN PMP41043 1,6-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus LLC umgesetzt durch C2000 and GaN TIDA-010062 Referenzdesign für 1 kW, 80 Plus Titanium, brückenlose GaN-CCM-Totem-Pole-PFC und Halbbrücken-LLC mi TIDM-02008 Bidirektionaler GaN CCM Totempol-PFC mit hoher Dichte und C2000™ MCU TIDM-1007 Hocheffiziente GaN CCM-Totem-Pole-Brücke ohne Leistungsfaktorkorrektur (PFC) – Referenzdesign
Evaluierungsplatine
LMG34XX-BB-EVM LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie
Vorrätig
Begrenzung:
Nicht vorrätig auf TI.com
Nicht verfügbar auf TI.com

LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

close
Aktuelle Version
Version: null
Veröffentlichungsdatum:
Hardware-Entwicklung
Referenzdesign
PMP20873 99 % effizienter 1-kW-GaN-basierter CCM Totem-Pol-Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Wandler – Referenzd PMP20978 Referenzdesign für Resonanzwandler mit hohem Wirkungsgrad und Leistungsdichte für 1 kW mit Hochspann PMP21309 Referenzdesign für 24-V/500-W-Resonanzwandler mit HV GaN FET PMP41006 1-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus-LLC umgesetzt durch C2000™ and GaN PMP41043 1,6-kW-Referenzdesign mit CCM-Totem-Pole PFC and Strommodus LLC umgesetzt durch C2000 and GaN TIDA-010062 Referenzdesign für 1 kW, 80 Plus Titanium, brückenlose GaN-CCM-Totem-Pole-PFC und Halbbrücken-LLC mi TIDM-02008 Bidirektionaler GaN CCM Totempol-PFC mit hoher Dichte und C2000™ MCU TIDM-1007 Hocheffiziente GaN CCM-Totem-Pole-Brücke ohne Leistungsfaktorkorrektur (PFC) – Referenzdesign
Evaluierungsplatine
LMG34XX-BB-EVM LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie

Technische Dokumentation

star
= Von TI ausgewählte Top-Dokumentation
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 1
Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Prüfbericht 24-V/500-W Resonant Converter Reference Design With TI HV GaN FET 05.11.2018

Verwandte Designressourcen

Referenzdesigns

Referenzdesign
PMP20306 200 V bis 400 V-Eingang (nominal), Dreifach-Ausgangs-Bias-Stromversorgung mit Eingangsspannungserfas

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.