PMP21309
Referenzdesign für 24-V/500-W-Resonanzwandler mit HV GaN FET
PMP21309
Überblick
Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um ein Referenzdesign für einen Hochfrequenz-Resonanzwandler. Die Ausgangsspannung wird über einen Resonanzkreis mit 500 kHz Resonanzfrequenz auf 24 V mit Eingangsspannungsbereichen von 380 V bis 400 V geregelt. Dieses Design erzielt einen Spitzenwirkungsgrad von 97,9 % durch den Hochspannungs-GaN-Baustein LMG3410R070 von TI in Verbindung mit UCD3138A und UCD7138 zur Optimierung der Totzeit und der Synchrongleichrichter (Synchronous Rectifier, SR)-Leitung.
Merkmale
- 500 kHz Resonanzfrequenz
- Umwandlung von 390 V in 24 V / 500 W
- 97,9 % Wirkungsgrad bei 390-V-Eingängen
- Leistungsstufe X Y-Abmessung 1,9" x 3"
| Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten | PMP21309.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 380 |
| Vin (Max) (V) | 400 |
| Vout (Nom) (V) | 24 |
| Iout (Max) (A) | 21 |
| Ausgangsleistung (W) | 504 |
| Isoliert/Nicht isoliert | Isolated |
| Eingabetyp | DC |
| Topologie | Half Bridge- LLC |
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LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
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Technische Dokumentation
| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Neueste englische Version herunterladen | Datum |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Prüfbericht | 24-V/500-W Resonant Converter Reference Design With TI HV GaN FET | 05.11.2018 |
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