WOLSP-3P-SIC-MOSFET
Wolfspeed combines its SiC MOSFET's with TI's C2000 real-time MCUs to create system solutions
WOLSP-3P-SIC-MOSFET
概述
Cree|Wolfspeed 公司是宽带隙半导体技术的全球引领者。Wolfspeed 的碳化硅产品具有超低的通态电阻以及低开关损耗，可以实现高效率和高功率密度。Wolfspeed SiC 器件远胜于传统的硅器件，并在工业、能源、汽车和消费市场中树立了新的效率和可靠性标准。
Cree|Wolfspeed 将其先进的 SiC MOSFET 和模块技术与 TI 的 C2000(TM) 实时微控制器、模拟电源和信号链产品相结合，打造出卓越的系统解决方案。如需应用支持和参考设计，请访问 TI 的 E2E 论坛或咨询 Wolfspeed SiC 专家。
特性
Cree|Wolfspeed 为电源系统中一些紧缺的碳化硅器件（逆变器、电源转换器、充电器等）提供了省时的参考设计。这些参考设计附有应用手册、用户指南和设计文件，可帮助设计人员设计出具有出色功率密度、性能和效率且坚固可靠的系统。
Cree|Wolfspeed MOSFET 可实现更高的开关频率，并可减小电感器、电容器、滤波器和变压器等元件的尺寸。Cree|Wolfspeed SiC MOSFET 替代了硅器件，能够以更高的阻断电压和雪崩能力实现更低的开关损耗和传导损耗。
Cree|Wolfspeed 能够提供从 SiC 材料到封装的垂直集成优势，从而在整个供应链中提供先进的 SiC 技术。Cree|Wolfspeed 的电源模块旨在采用可提供出色 SiC 性能的封装满足每个客户的系统设计要求。Cree|Wolfspeed 通过提供业界通用封装和优化型封装这两种不同的产品类别，来满足不同客户的价值主张。
C2000 实时微控制器
技术文档
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