PMP40100

适用于 HEV/EV 电池管理系统的隔离式多轨输出反激参考设计

PMP40100

设计文件

概述

PMP40100 是一种隔离型反激式解决方案,它接受 5V 至 36V 的输入电压并提供到负载的多个 3KV 隔离式输出电压轨。此参考设计支持 15V 电压轨 (100mA) 和 6V(每个电压轨 300mA)电压轨配置。此参考设计具有良好的线路和负载调节性能以及良好的热性能。此设计还在 PCB 内集成变压器绕组,显著减小了 PCB 板,使其更容易集成到系统板中。

特性
  • 5Vdc-36Vdc 宽输入电压范围
  • 多个 3KV 隔离式输出电压轨
  • 良好的线路和负载调节性能
  • 单侧组件
  • PCB 绕组变压器
输出电压选项 PMP40100.1 PMP40100.2
Vin (Min) (V) 5 5
Vin (Max) (V) 36 36
Vout (Nom) (V) 6 15
Iout (Max) (A) .3 .1
Output Power (W) 1.8 1.5
Isolated/Non-Isolated Isolated Isolated
Input Type DC DC
Topology Flyback- CCM Flyback- CCM
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUCR5.PDF (671 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRP10.PDF (164 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRP11.PDF (46 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRP12.PDF (97 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRP14.ZIP (27 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCCZ7.ZIP (317 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRP13.PDF (737 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD19532Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
升压控制器(外部开关)

LM3481-Q1符合 AEC-Q100 标准的 2.97V 至 48V 高效升压、SEPIC 和反激式控制器

数据表: PDF | HTML

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* 测试报告 PMP40100 Test Results 2016年 12月 9日

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