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质量、可靠性和封装数据下载

INA190A5NDDFREP 正在供货

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Rating

HiRel Enhanced Product
RoHS Yes
REACH Yes
器件标识 2M5F
铅涂层/焊球材料 NiPdAu
MSL 等级/回流焊峰 Level-1-260C-UNLIM

MTBF/FIT 估算

MTBF/FIT MTBF/FIT 支持数据
MTBF FIT 使用温度 (°C) 置信度 (%) 激活能量 (eV) 测试温度 (°C) 测试持续时间（小时） 样本大小 故障次数 更多建议
7.47x109 0.1 55 60 0.7 125 1000 87285 0 —

材料成分

成分含量 均质物质含量
均质物质 成分 CAS 编号 质量 (mg) 百分比 % ppm 百分比 % ppm
Bond Wire
Not Categorized
Proprietary Materials
—
0.000001
0.003563
36
0.000004
0
Precious Metals
Gold
7440-57-5
0.027894
99.380077
993801
0.119011
1190
Precious Metals
Palladium
7440-05-3
0.000173
0.616360
6164
0.000738
7
Sub-total
— —
0.028068
100
1000000
0.119753
1198
Die Attach Adhesive
Other Inorganic Materials
Silica
7631-86-9
0.028674
45.000000
450000
0.122339
1223
Other Plastics and Rubber
Imidazole Derivative
288-32-4
0.000637
0.999686
9997
0.002718
27
Thermoplastics
Epoxy
85954-11-6
0.034409
54.000314
540003
0.146807
1468
Sub-total
— —
0.063720
100
1000000
0.271864
2719
Lead Frame
Copper and Its Alloys
Copper
7440-50-8
16.12971
97.050000
970500
68.818049
688180
Copper and Its Alloys
Iron
7439-89-6
0.43212
2.600000
26000
1.843657
18437
Copper and Its Alloys
Phosphorus
7723-14-0
0.02493
0.150000
1500
0.106365
1064
Zinc and Its Alloys
Zinc
7440-66-6
0.03324
0.200000
2000
0.141820
1418
Sub-total
— —
16.62000
100
1000000
70.909891
709099
Lead Frame Plating
Nickel and Its Alloys
Nickel
7440-02-0
0.057072
95.120000
951200
0.243500
2435
Precious Metals
Gold
7440-57-5
0.000468
0.780000
7800
0.001997
20
Precious Metals
Palladium
7440-05-3
0.00246
4.100000
41000
0.010496
105
Sub-total
— —
0.060000
100
1000000
0.255992
2560
Mold Compound
Other Inorganic Materials
Fused Silica
60676-86-0
5.605248
87.999986
880000
23.915014
239150
Other Organic Materials
Carbon Black
1333-86-4
0.019109
0.300003
3000
0.081529
815
Other Organic Materials
Chlorine
7782-50-5
0.000064
0.001005
10
0.000273
3
Thermoplastics
Epoxy
85954-11-6
0.74518
11.699006
116990
3.179340
31793
Sub-total
— —
6.369601
100
1000000
27.176156
271762
Semiconductor Device
Ceramics / Glass
Doped Silicon
7440-21-3
0.296808
100.000000
1000000
1.266343
12663
Sub-total
— —
0.296808
100
1000000
1.266343
12663
Total
— —
23.438197
— —
100
1000000

认证摘要

类型 AEC-Q100 测试编号 测试规格 最低批次数量 SS/批次 测试名称 条件 结果 笔记
Test group A - accelerated environment stress test
THB/HAST A2 JESD22-A101/JESD22-A110 3 77 Biased HAST 130C/85%RH 96 hours Pass Or equivalent Q100 condition
AC/UHAST A3 JESD22-A102/JESD22-A118 3 77 Unbiased HAST 130C/85%RH for 96 hours Pass Or equivalent Q100 condition
TC A4 JESD22-A104 3 77 Temperature cycle Per grade requirements. See data sheet. Pass —
TC-WBP A4 MIL-STD883 method 2011 1 30 Post temp cycle bond pull Per requirements Pass As applicable per die configuration
HTSL A6 JESD22-A103 1 45 High temp storage bake Per grade requirements. See data sheet. Pass —
Test group B - accelerated lifetime simulation test
HTOL B1 JESD22-A108 3 77 High temperature operating life Per grade requirements. See data sheet. Pass —
ELFR B2 AEC Q100-008 3 800 Early life failure rate Per grade requirements. See data sheet. Pass —
Test group C - package assembly integrity tests
WBS C1 AEC Q100-001 1 30 Wire bond shear Cpk > 1.67 Pass As applicable per die configuration
WBP C2 MIL-STD883 method 2011 1 30 Wire bond pull Cpk > 1.67 Pass As applicable per die configuration
SD C3 JEDEC J-STD-002 1 15 Solderability >95% lead coverage Pass —
PD C4 JESD22-B100 and B108 3 10 Physical dimensions Cpk > 1.67 Pass —
SBS C5 AEC Q100-010 3 5 balls from 10 devices Solder Ball Shear Cpk > 1.67 Pass As applicable per die configuration
Test group D - die fabrication reliability tests
EM D1 — — — Electromigration Per technology requirements Pass —
TDDB D2 — — — Time dependent dielectric breakdown Per technology requirements Pass —
HCI D3 — — — Hot carrier injection Per technology requirements Pass —
BTI D4 — — — Bias temperature instability Per technology requirements Pass —
SM D5 — — — Stress Migration Per technology requirements Pass —
Test group E - electrical verification
HBM E2 AEC Q100-002 1 3 Electrostatic discharge - human body model Per AEC Q100-002 See data sheet —
CDM E3 AEC Q100-011 1 3 Electrostatic discharge - charged device model Per AEC Q100-011 See data sheet —
LU E4 AEC Q100-004 1 3 Latch-up Per AEC Q100-004 Pass As applicable per Q100-004
ED E5 AEC Q100-009 3 30 Electrical distributions Per AEC Q100-009 Pass —

持续可靠性监测

芯片制造工艺流程可靠性数据。
制造工艺 可靠性测试 滚动式的年度（2025 年第 4 季度 - 2026 年第 3 季度）样本大小 累计样本大小 结论
Power BICMOS High temperature gate bias 150C, 1000 Hours or Equivalent JEDEC Condition 924 924 Pass
Power BICMOS High temperature reverse bias 125C, 1000 Hours or Equivalent JEDEC Condition 1386 1386 Pass
Power BICMOS Life test 125C, 1000 Hours or Equivalent JEDEC Condition 28135 456997 Pass
装配工艺可靠性数据。
封装系列 可靠性测试 滚动式的年度（2025 年第 4 季度 - 2026 年第 3 季度）样本大小 累计样本大小 结论
SOP/SOT Biased HAST 130C/85%RH, 96 Hours or Equivalent JEDEC Condition 6691 118205 Pass
SOP/SOT High temp storage bake 150C, 1000 Hours or Equivalent JEDEC Condition 4501 92013 Pass
SOP/SOT Temperature cycle -65/150C, 500 Hours or Equivalent JEDEC Condition 11931 221831 Pass
SOP/SOT Unbiased HAST 130C/85% RH, 96 Hours or Equivalent JEDEC Condition 8091 177318 Pass

其他资源

通用质量指南

认证

冲突矿产专用披露报告

如需更多相关信息，请联系 TI 客户支持中心.

关闭

数据类型定义

RoHS

根据欧盟限制使用有害物质 (RoHS) 指令 2011/65/EU（2011 年 7 月 21 日订立）和修订指令 (EU) 2015/863（2019 年 7 月 22 日生效），当指明“RoHS = 是”或“RoHS = 豁免”时，TI 产品是符合 RoHS 标准的。

据 TI 所知，TI 已声明其产品“符合 RoHS 标准”。

• 所含禁用物质不超过 RoHS 规定的最大允许阈值，

 或者

• 在适当的情况下，可能符合 RoHS 附件 III 中铅 (Pb) 的豁免范围，如 "TI RoHS 声明" 所述。

REACH

是: 完全符合欧盟 (EU) RoHS，无需豁免。

受影响: 当含量超过阈值时，仅用于化学品注册、评估、授权和限制 (REACH) 法规中的高度关注物质 (SVHC)。REACH SVHC 不限制使用，但如果含量超出阈值，则必须提供更多信息。

否: 不符合 EU RoHS。

请参阅 TI REACH 声明 ，了解更多详细信息。

器件标识

封装顶部标记。

引脚镀层/焊球材料֙

引脚镀层和焊球成分。

MSL 等级/回流焊峰值温度

潮湿敏感度等级 (MSL) 是美国电子器件工程联合委员会 (JEDEC) 的一项行业标准分类，定义了在进行高温回流焊前产品可安全地暴露于周围环境的时间。

MTBF/FIT 估算

这个合格性测试的目的是确定产品的生命周期，并显示得出这些比率的条件。

材料成分

TI 的材料成分信息基于第三方供应商提供的信息。TI 通过合理努力来提供任何所需或可用的信息。TI 可能尚未对引入的材料和化学品进行破坏性测试或化学分析。TI 及其供应商可能会将特定信息视为专有信息，因此 TI 可能不会发布这些特定信息。材料成分信息由 TI“按原样”提供。

认证摘要

秉承为客户提供高质量产品的宗旨，我们对卓越质量与高可靠性的追求已根植在 TI 文化之中。TI 在开发其半导体技术时的最低目标是，在 105°C 结温下、100,000 小时通电时间内的时基故障 (FIT) 低于 50。TI 的产品开发过程涵盖仿真、加速测试和耐用性评估等过程。在产品开发过程中，TI 会对器件工艺可靠性、封装可靠性和器件/封装间的相互作用进行细致评估。

持续可靠性监测

ORM 计划开展过程中，我们会收集一系列有代表性器件、工艺和封装的环境可靠性压力测试数据。该报告中的 ORM 计划结果数据每个季度都会更新。