TMCS1123
- High continuous current capability: 80ARMS
- Robust reinforced isolation
- High accuracy
- Sensitivity error: ±0.1%
- Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
- Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
- Offset error: ±0.2mV
- Offset thermal drift: ±2µV/°C
- Offset lifetime drift: ±0.2mV
- Non-linearity: ±0.1%
- High immunity to external magnetic fields
- Precision zero-current reference output
- Fast Response
- Signal bandwidth: 250kHz
- Response time: 1µs
- Propagation delay: 110ns
- Overcurrent detection response: 100ns
- Overcurrent detection MASK (TMCS1123D71)
- Operating supply range: 3V to 5.5V
- Bidirectional and unidirectional current sensing
- Multiple sensitivity options:
- Ranging from 25mV/A to 150mV/A
- Safety related certifications
- UL 1577 Component Recognition Program
- IEC/CB 62368-1
The TMCS1123 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature 1.4%and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.
AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage.
Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity. Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.
技術文件
設計與開發
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TMCS-A-ADAPTER-EVM — 適用於 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應電流感測器轉接卡 (不包括 IC)
TMCS-A-ADAPTER-EVM 是一款評估模組 (EVM)，旨在協助快速、便利地使用採用 DVG、DVF 或 DZP 封裝的 TMCS 隔離式霍爾效應精密電流感測監控器。此 EVM 可讓使用者在透過隔離層測量隔離輸出時，將高達 90A 的電流推經霍爾輸入側。TMCS-A-ADAPTER-EVM 包含一個未組裝的 PCB，其具備可安裝測試點和分接接頭針腳的位置，以評估裝置。PCB 焊盤是重疊的，因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 零件都可以搭配 TMCS-A-ADAPTER-EVM 使用。
TMCS1123EVM — 適用於隔離式霍爾效應電流感測的 TMCS1123 評估模組
CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC — Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
TIDA-010257 — 10kW Vienna 整流器式三相功率因數校正參考設計
TIDA-010937 — 配備數位介面的隔離式低延遲高 PWM 抑制霍爾電流感測參考設計
此參考設計示範的準確低延遲強化隔離式雙向電流感測系統，使用了 TMCS1123 精密霍爾效應電流感測器，可實現可靠的相位電流與 DC 鏈路電流感測，並且具備最高達 ±62A 的三相逆變器，以及低於 100ns 的過電流偵測時間。過電流閾值最高可設定最高達全刻度輸入電流範圍的 2.5 倍。具備高速 SPI 的小型 12 位元 A/D 轉換器，或是時脈最達高 21 MHz 的 ΔΣ 調變器，可提供高雜訊抗擾度的 3.3V I/O 數位介面。介面可連接至 C2000 或 Sitara MCU 等主機處理器，輕鬆評估採用不同 A/D 轉換技術的封裝型霍爾感測器。
TIDA-010938 — 具有電池儲能系統的 10kW GaN 型單相串列式逆變器參考設計
此參考設計提供以 GaN 為基礎的單相串列式逆變器在電池儲能系統 (BESS) 中實現雙向電源轉換系統的實作概覽。此設計包含兩個串列輸入，每個輸入可處理多達 10 塊串聯光電 (PV) 面板，並配備可處理 50V 至 500V 電池組的儲能系統連接埠。從串列輸入至 BESS 的額定功率高達 10kW。可配置 DC-AC 轉換器，可在 230V 下支援高達 4.6kW 的單相電網連接。在單一 C2000™ MCU 上執行三個功率級的數位控制。
TIDA-010954 — 600W GaN 型單相換流器參考設計
TIDA-011008 — 3.6kW GaN 型單相串列式逆變器參考設計
此參考設計提供 GaN 型單相串列式逆變器實作概覽，設計中包含單串列輸入，可處理多達 10 塊串聯太陽光電 (PV) 面板。在 230V 單相併網條件下，來自串列輸入的額定功率最高可達 3.6kW。在單一 C2000™ MCU 上執行三個功率級的數位控制。此電路板還配備 WiFi® 通訊埠，可輕鬆進行遠端監測和控制存取。
TIDA-01606 — 11-kW、雙向三相三級 (T 型) 逆變器和 PFC 參考設計
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DVG) | 10 | Ultra Librarian |