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UCC5880-Q1

활성

고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브, 20A, 실시간 가변 IGBT/SiC MOSFET 가변 게이트 드라이버

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UCC5881-Q1 활성 고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브, 20A, 실시간 가변 IGBT/SiC MOSFET 가변 게이트 드라이버 UCC5881-Q1 offers 14x DESAT leading edge blanking settings, 5x DESAT deglitch filter settings, 16x DESAT threshold settings, and an INT_COMM fault filter

UCC5880-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Peak output current (A) 20 Peak output current (source) (typ) (A) 20 Peak output current (sink) (typ) (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 12 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Peak output current (A) 20 Peak output current (source) (typ) (A) 20 Peak output current (sink) (typ) (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 12 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • Dual-output driver with real time variable drive strength
    • ±15A and ±5A drive current outputs
    • Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI
    • 3 resistor settings R1, R2, or R1||R2
    • Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Primary-side and secondary-side active short circuit (ASC) support
  • Under-voltage and over-voltage protection on internal and external supplies
  • Driver die temperature sensing and over temperature protection
  • Short-circuit protection:
    • 110ns response time to DESAT event
    • DESAT protection – selections up to 14V
    • Shunt resistor based short-circuit (SC) and over-current (OC) protection
    • Configurable protection threshold values and blanking times
    • Programmable soft turn-off (STO) and two-level soft turn-off (2STO) current
  • Integrated 10-bit ADC
    • Able to measure power switch temperature, DC Link voltage, driver die temperature, DESAT pin voltage, VCC2 voltage
    • Programmable digital comparators
  • Advanced VCE/VDS clamping circuit
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built in self-test (BIST) for protection comparators
    • Gate threshold voltage measurement for power device health monitoring
    • INP to transistor gate path integrity
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm and warning outputs (nFLT*)
    • ISO communication data integrity check
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • 150V/ns CMTI
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C2b
  • Dual-output driver with real time variable drive strength
    • ±15A and ±5A drive current outputs
    • Digital input pins (GD*) for drive strength adjustment without SPI
    • 3 resistor settings R1, R2, or R1||R2
    • Integrated 4A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Primary-side and secondary-side active short circuit (ASC) support
  • Under-voltage and over-voltage protection on internal and external supplies
  • Driver die temperature sensing and over temperature protection
  • Short-circuit protection:
    • 110ns response time to DESAT event
    • DESAT protection – selections up to 14V
    • Shunt resistor based short-circuit (SC) and over-current (OC) protection
    • Configurable protection threshold values and blanking times
    • Programmable soft turn-off (STO) and two-level soft turn-off (2STO) current
  • Integrated 10-bit ADC
    • Able to measure power switch temperature, DC Link voltage, driver die temperature, DESAT pin voltage, VCC2 voltage
    • Programmable digital comparators
  • Advanced VCE/VDS clamping circuit
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built in self-test (BIST) for protection comparators
    • Gate threshold voltage measurement for power device health monitoring
    • INP to transistor gate path integrity
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm and warning outputs (nFLT*)
    • ISO communication data integrity check
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • 150V/ns CMTI
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 1: -40°C to +125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C2b

The UCC5880-Q1 device is an isolated, highly configurable adjustable drive strength gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections are included, such as shunt resistor based over-current, over-temperature (PTC, NTC, or diode), and DESAT detection, with selectable soft turn-off or two-level soft turn-off during these faults. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to 2 analog inputs, VCC2, DESAT, and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.

The UCC5880-Q1 device is an isolated, highly configurable adjustable drive strength gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections are included, such as shunt resistor based over-current, over-temperature (PTC, NTC, or diode), and DESAT detection, with selectable soft turn-off or two-level soft turn-off during these faults. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to 2 analog inputs, VCC2, DESAT, and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.
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기술 자료

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* 데이터 시트 UCC5880-Q1 Isolated 20A Adjustable Gate Drive IGBT/SiC MOSFET Gate Driver With Advanced Protection Features For Automotive Applications datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2024. 2. 26
애플리케이션 노트 How to Use UCC5880-Q1 to Detect the Module DS Short Failure PDF | HTML 2026. 7. 8
백서 Design Priorities in EV Traction Inverters (Rev. B) PDF | HTML 2026. 2. 13
Application brief Understanding Common Mode Transient Immunity (CMTI) in Automotive Traction Inverter Isolated Gate Drivers (Rev. A) PDF | HTML 2025. 9. 12
백서 Electrical Vehicle Improvements With a Highly Efficient Traction Inverter Design PDF | HTML 2024. 9. 11
기술 문서 차세대 전기 프로펄션 시스템 개발 PDF | HTML Download English Version 2024. 5. 17
기술 문서 Three key components needed to boost performance of next generation EV traction inverters PDF | HTML 2024. 1. 5
기술 문서 How to maximize SiC traction inverter efficiency with real-time variable gate drive strength PDF | HTML 2024. 1. 4
백서 고전압 시스템의 전력 변환 간소화 PDF | HTML Download English Version 2023. 11. 10
인증서 UCC5880INVERTEREVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2023. 3. 13
기술 문서 Improving safety in EV traction inverter systems PDF | HTML 2022. 12. 8
인증서 UCC5880QEVM-057 EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022. 11. 11
백서 트랙션 인버터 – 차량 전기화를 이끄는 동력 PDF | HTML Download English Version 2022. 8. 17
기술 문서 Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters PDF | HTML 2022. 6. 10

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC5880INVERTEREVM — 트랙션 인버터의 가변 절연 게이트 드라이브용 UCC5880-Q1 평가 모듈

UCC5880INVERTEREVM 보드는 보드에 납땜된 100nF 커패시터 부하로 UCC5880-Q1 드라이버를 테스트하는 데 독립적으로 사용하거나 고전력 테스트를 위해 Wolfspeed XM3 SiC 기반 하프 브리지 전원 모듈을 직접 구동하는 데 사용할 수도 있습니다. UCC14240-Q1 절연 바이어스 전원 공급 장치 2개가 보드에 포함되어 있습니다. EVM은 일반 SPI, 데이지 체인 및 TI 주소 기반을 포함한 다양한 SPI 통신 방법을 유연하게 구성할 수 있습니다. EVM은 최대 300kW의 3상 인버터 테스트를 위한 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
평가 보드

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 평가 모듈

UCC5880-Q1 평가 모듈은 조정 가능한 게이트 드라이브 강도와 고급 보호 기능을 지원하는 UCC5880-Q1, 20A 절연 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 게이트 드라이버는 EV/HEV 애플리케이션에서 고전력 SiC MOSFET 및 IGBT를 구동하는 것을 목표로 합니다. UCC5880-Q1 드라이버 단계는 다양한 애플리케이션 조건에서 게이트 드라이브 강도에 가장 높은 유연성을 허용하는 분할 출력 듀얼 드라이버를 제공합니다. 능동 밀러 클램프, DESAT 또는 션트 전류 센서 감지, 소프트 턴오프 (...)
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PMP31236 — HybridPACK™ 드라이브 IGBT 모듈용 게이트 드라이버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스는 UCC5880-Q1 게이트 드라이브 IC 6개와 LM5180-Q1 절연 바이어스 공급 6개를 사용하여 Infineon HybridPACK™ 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 모듈과 상호 작용하고 구동합니다. 절연 출력 전압은 각각 100mA의 최대 출력 전류이며 +15V 및 -8V입니다. 1차측 입력 전압 범위는 8V~16V입니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDM-02014 — 고전력, 고성능 차량용 SiC 트랙션 인버터 레퍼런스 설계

TIDM-02014는 Texas Instruments와 Wolfspeed가 개발한 800V, 300kW SiC 기반 트랙션 인버터 시스템 레퍼런스 설계로, OEM 및 설계 엔지니어가 고성능, 고효율 트랙션 인버터 시스템을 만들고 출시 시기를 앞당길 수 있는 기반을 제공합니다. 이 솔루션은 TI 및 Wolfspeed의 트랙션 인버터 시스템 기술이 Wolfspeed SiC 전력 모듈을 구동하는 고성능 절연 게이트 드라이버 및 실시간 가변 게이트 구동 강도를 통해 사용 가능한 전압의 오버슈트를 줄임으로써 시스템 효율성을 개선하는 방법을 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SSOP (DFC) 32 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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