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UCC27611

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4V UVLO 및 5V 조정 출력을 지원하는 4A/6A 싱글 채널 게이트 드라이버

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UCC27611

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
WSON (DRV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • Enhancement Mode Gallium Nitride FETs (eGANFETs)
  • 4-V to 18-V Single Supply Range VDD Range
  • Drive Voltage VREF Regulated to 5 V
  • 4-A Peak Source and 6-A Peak Sink Drive Current
  • 1-Ω and 0.35-Ω Pullup and Pulldown Resistance (Maximize High Slew-Rate dV and dt Immunity)
  • Split Output Configuration (Allows Turnon and Turnoff Optimization for Individual FETs)
  • Fast Propagation Delays (14-ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (9-ns and 5-ns Typical)
  • TTL and CMOS Compatible Inputs (Independent of Supply Voltage Allow Easy Interface-to-Digital and Analog Controllers)
  • Dual-Input Design Offering Drive Flexibility (Both Inverting and Noninverting Configurations)
  • Output Held Low When Inputs Are Floating
  • VDD Under Voltage Lockout (UVLO)
  • Optimized Pinout Compatible With eGANFET Footprint for Easy Layout
  • 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 Package With Exposed Thermal and Ground Pad, (Minimized Parasitic Inductances to Reduce Gate Ringing)
  • Operating Temperature Range of –40°C to 140°C
  • Enhancement Mode Gallium Nitride FETs (eGANFETs)
  • 4-V to 18-V Single Supply Range VDD Range
  • Drive Voltage VREF Regulated to 5 V
  • 4-A Peak Source and 6-A Peak Sink Drive Current
  • 1-Ω and 0.35-Ω Pullup and Pulldown Resistance (Maximize High Slew-Rate dV and dt Immunity)
  • Split Output Configuration (Allows Turnon and Turnoff Optimization for Individual FETs)
  • Fast Propagation Delays (14-ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (9-ns and 5-ns Typical)
  • TTL and CMOS Compatible Inputs (Independent of Supply Voltage Allow Easy Interface-to-Digital and Analog Controllers)
  • Dual-Input Design Offering Drive Flexibility (Both Inverting and Noninverting Configurations)
  • Output Held Low When Inputs Are Floating
  • VDD Under Voltage Lockout (UVLO)
  • Optimized Pinout Compatible With eGANFET Footprint for Easy Layout
  • 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 Package With Exposed Thermal and Ground Pad, (Minimized Parasitic Inductances to Reduce Gate Ringing)
  • Operating Temperature Range of –40°C to 140°C

The UCC27611 is a single-channel, high-speed, gate driver optimized for 5-V drive, specifically addressing enhancement mode GaN FETs. The drive voltage VREF is precisely controlled by internal linear regulator to 5 V. The UCC27611 offers asymmetrical rail-to-rail peak current drive capability with 4-A source and 6-A sink. Split output configuration allows individual turnon and turnoff time optimization depending on FET. Package and pinout with minimum parasitic inductances reduce the rise and fall time and limit the ringing. Additionally, the short propagation delay with minimized tolerances and variations allows efficient operation at high frequencies. The 1-Ω and 0.35-Ω resistance boosts immunity to hard switching with high slew rate dV and dt.

The independence from VDD input signal thresholds ensure TTL and CMOS low-voltage logic compatibility. For safety reason, when the input pins are in a floating condition, the internal input pullup and pulldown resistors hold the output LOW. Internal circuitry on VREF pin provides an undervoltage lockout function that holds output LOW until VREF supply voltage is within operating range. UCC27611 is offered in a small 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 package (DRV) with exposed thermal and ground pad that improves the package power-handling capability. The UCC27611 operates over wide temperature range from –40°C to 140°C.

The UCC27611 is a single-channel, high-speed, gate driver optimized for 5-V drive, specifically addressing enhancement mode GaN FETs. The drive voltage VREF is precisely controlled by internal linear regulator to 5 V. The UCC27611 offers asymmetrical rail-to-rail peak current drive capability with 4-A source and 6-A sink. Split output configuration allows individual turnon and turnoff time optimization depending on FET. Package and pinout with minimum parasitic inductances reduce the rise and fall time and limit the ringing. Additionally, the short propagation delay with minimized tolerances and variations allows efficient operation at high frequencies. The 1-Ω and 0.35-Ω resistance boosts immunity to hard switching with high slew rate dV and dt.

The independence from VDD input signal thresholds ensure TTL and CMOS low-voltage logic compatibility. For safety reason, when the input pins are in a floating condition, the internal input pullup and pulldown resistors hold the output LOW. Internal circuitry on VREF pin provides an undervoltage lockout function that holds output LOW until VREF supply voltage is within operating range. UCC27611 is offered in a small 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 package (DRV) with exposed thermal and ground pad that improves the package power-handling capability. The UCC27611 operates over wide temperature range from –40°C to 140°C.
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기술 자료

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상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 UCC27611 5-V, 4-A to 6-A Low Side GaN Driver datasheet (Rev. F) PDF | HTML 2018. 3. 12
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추가 자료 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018. 10. 29
Application brief Enable Function with Unused Differential Input 2018. 7. 11
선택 가이드 Power Management Guide 2018 (Rev. R) 2018. 6. 25
Application brief Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 2018. 3. 16
기술 문서 How to achieve higher system efficiency- part two: high-speed gate drivers PDF | HTML 2017. 1. 31
백서 A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015. 3. 2
백서 Advancing Power Supply Solutions Through the Promise of GaN 2015. 2. 24

설계 및 개발

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